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101.
Zhihua Xu Yongxiang Li Zhifu Liu Zhi Xiong 《Materials Science and Engineering: B》2004,110(3):302-306
The synthesis of trivalent terbium doped ZnGa2O4 nanosized new phosphors by the Pechini method was reported. Well-crystallized ZnGa2O4:Tb3+ phosphors were obtained at low-temperature about 550 °C. The phosphors formed porous agglomerates which consist of spherical nanocrystallites with a uniform size at about 30 nm. The photoluminescence of the phosphors included both the luminescence of ZnGa2O4 host and characteristic emission of Tb3+, and the excitation spectra showed an energy transfer from the host lattice to the activator. The Tb3+ emission from the phosphors prepared by the Pechini process was more intensive than that of phosphors by solid-state reaction process. 相似文献
102.
曹文华 《河北工程技术高等专科学校学报》2004,(1):29-31
分析介绍了消防水泵、电动防火卷帘、防烟排烟设施、非消防电源断电、电梯等设施的联动控制系统的设计方法,并提出了设计中应注意的问题和合理化建议。 相似文献
103.
CHEN Changchun Liu Zhihong HUANG Wentao Dou Weizhi Xiong Xiaoyi Zhang Wei TSIEN Peihsin CAO Jianqing 《中国稀土学报(英文版)》2004,22(Z2)
Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford backscattering/ion channeling (RBS/C), high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectra as well as atomic force microscopy (AFM) were used to characterize these SiGe films. Investigations by RBS/C as well as HRXRD demonstrate that these thin Sio.8Geo.2 films could indeed epitaxially grow on the Ar ion implantation Si substrates. Under low dose ( 1 × 1014 cm-2) and medium dose (5 × 1014 cm-2) implantation conditions, the relaxation extents of SiGe films are 60.6% and 63.6%, respectively. However, high dose implantation (3 × 1015 cm-2) prompt the strain in epitaxial SiGe film to be close to full relaxation status (relaxation extent of 96.6% ). On the other hand, determinations of RBS/C also indicate the crystalline quality of SiGe film grown on high dose implantation Si substrate is nearly identical to that grown on low dose (1 × 1014 cm-2) implantation Si substrate. 相似文献
104.
105.
本文采用FUZZY-PID复合式自适应控制器来满足冶金连铸系统中对结晶器液位控制的要求,由于在长时间的连续铸钢过程中,塞棒头部受钢水的冲刷和腐蚀,使得塞棒头部为形较大,导致塞棒位置与钢水流量的特性关系发生较大变化,而这种变化无法用确定的数学关系式来描述,用常规PID控制器不能对此变化进行有效调节。本文采用模糊控制器对此变化作出反映,通过模糊控制运算结果来调节PID控制器的放大系数Kp始终在理想的范围内,从而使控制系统达到对结晶器液位控制的要求。 相似文献
106.
星载天线在发射及在轨阶段将面临严酷的力学环境,要求具有极高的可靠性。为了验证其刚度和强度,缩短研发周期,文中采用NX Nastran软件建立了某星载大口径天线子系统的力学仿真模型;为了验证仿真的有效性,进行了该天线子系统的模态测试,经对比发现两者数据一致性较好;基于建立的有限元模型,分析了该天线子系统在正弦振动和热循环环境工况下的结构响应和受力情况,得到了相应的加速度、位移和应力云图。结果表明,该天线子系统的结构刚强度均满足星载环境要求。该仿真分析对星载天线子系统的结构设计具有重要的指导意义。 相似文献
107.
108.
CIMS/CIPS中的现场总线 总被引:3,自引:0,他引:3
本文主要涉及现场总线定义,现场总线的特点,发展现场总线的必要性,现场总线的发展历程,现场总线的标准化及现场总线产品的开发等内容 相似文献
109.
The inconsistency of the cells in a battery pack can affect its lifespan,safety and reliability in the electric vehicles.The balanced system is an effective technique to reduce its inconsistency and improve the operating performance.A hybrid equilibrium strategy based on decision combing battery state-of-charge (SOC) and voltage has been proposed.The battery SOC is estimated through an improved least squares method.An equalization hardware in loop (HIL) platform has been constructed.Based on this HIL platform,equilibrium strategy has been verified under the constant-current-constant-voltage (CCCV) and dynamic-stress-test (DST) conditions.Experimental results indicate that the proposed hybrid equalization strategy can achieve good balance effect and avoid the overcharge and over-discharge of the battery pack at the same time. 相似文献
110.
曹金红 《辽东学院学报(自然科学版)》2009,16(3):205-210
为工程实践中迫切需要解决微米和亚微米量级的设计与制造问题,文章中运用MSG塑性理论利用Abaqus软件对铝合金的强度及均匀延伸率进行了比较系统的研究;运用有限单元法分析了MSG应变梯度本构方程和经典的弹塑性本构方程对不同晶粒尺寸的铝合金的应力应变关系;模拟不同晶粒尺寸的铝合金的强度及均匀延伸率。结果表明随着晶粒尺寸的减小,屈服强度、应变硬化明显增加,延伸率却往往越小。对于该问题的研究探索,将是解决材料强度与均匀伸长率这对矛盾体的问题关键,同时,为科研工作者提供了新方法和新途径。 相似文献