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介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法。在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构。该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应;同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间。采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题。雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护。 相似文献
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考虑到传统交换芯片将VLAN(虚拟局域网)数据包解析固化于硬件之中,无法更改处理流程等因素,文章提出了一种基于网络处理器可编程流水线解析VLAN数据包的方案.对可编程流水线的处理机制进行了研究,分析了VLAN的映射原理,并详细描述了VLAN模块的实现过程.测试结果表明,该软件能稳定运行,对下一步QinQ(VLAN嵌套)... 相似文献
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Solution processes have been widely used to fabricate micropatterned surfaces for its mild operation conditions. However, current approaches suffer from limitations of either low resolution or high cost. Here, a facile approach is proposed for direct writing micropatterns with a resolution up to ≈ 1 µm using a unit of triple conical fibers with the side‐by‐side parallel arrangement. With this unit, the resolution of the micropatterns can be mainly controlled by the single central conical fiber, with one side of the fiber facilitating continuous and steady liquid transfer onto the substrate and the other side mechanically supporting the whole unit. Particularly, the unit enables tunable dimension of the micropatterns within a rather large scale from ≈ 1 µm to ≈ 1.3 mm by varying the writing parameters (speed, height, and angle). Moreover, the unit is applicable for direct patterning various liquids, even into microline arrays, with a high resolution. It enables direct writing conductive microline with a width of ≈ 1 µm in a centimeter length scale, which can be used for constructing microcircuits. It is envisioned that the result offers a new perspective for preparing high‐resolution micropatterns using solution processes. 相似文献
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为了推进永磁同步电机在实际工程领域的应用,通过Matlab软件搭建了基于滑模变结构的永磁同步电机控制模型.为了使控制效果更加理想,提出了一种优化的指数滑模速度控制器,并针对这种连续的速度控制器在控制系统中进行了仿真.仿真结果表明,控制效果得到了很大改善. 相似文献
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综合电子干扰对编队对地攻击作战效能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了编队对地攻击作战效能和战损模型,重点分析了编队综合电子干扰(雷达干扰、通信干扰、光电干扰)对敌防空预警系统、指挥引导系统以及武器制导系统的探测概率、引导概率和跟踪概率的影响,进一步指出了其对编队战损及作战效能的影响。 相似文献
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研究了一种基于BCB材料的牺牲层接触平坦化技术,用于红外焦平面阵列Post CMOS工艺之前对读出电路表面的平坦化,以利于微测辐射热计微桥阵列与读出电路的集成。利用该方法成功将2μm的电路表面突起,平坦化为表面起伏56 nm的平面,可替代会给器件带来颗粒和损伤的化学机械抛光(CMP)技术。并在该平坦层上方成功进行了非晶硅敏感薄膜的沉积、微桥结构的图形化以及同时作为牺牲层的BCB的释放。通过实验研究了BCB膜层的厚度与转速、固化温度的关系,实验发现BCB的收缩率随温度小范围变化,约为30%。研究了BCB的等离子刻蚀特性,表明该材料适合用等离子刻蚀的方法进行接触孔的刻蚀和牺牲层释放。最后,利用BCB牺牲层接触平坦化技术成功地在读出电路(ROIC)芯片上制作了160×120面阵的非制冷红外焦平面阵列。 相似文献
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针对输电线路纵联差动保护中常用的常规比率差动保护、复式比率差动保护、故障分量复式比率差动保护的不同特点,采用ATP-EMTP仿真软件模拟的方法,结合这3种判据经高阻发生故障的试验,得出各判据的抗过渡电阻的能力的结论,以便解决差动保护的可靠性和灵敏度问题。 相似文献