燃烧法快速合成铝酸锶基质长余辉发光材料

以燃烧法快速合成了Eu^2 ,Dy^3 掺杂的铝酸锶发光粉,发光粉经自然光激发可观察到明亮的黄绿光,余辉可达12h以上。用X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜等分析了合成物的物相组成、显微结构与粒度等。结果表明;合成的发光粉主晶相是SrAl2O4,扫描电镜下呈卷曲片状,透射电镜下的一次粒子呈不规则粒状,粒子直径大多分布在60～100nm以内。通过对荧光分光光度计所测定的合成样品的激发光谱、发射光谱和衰减曲线等光谱分析发现;合成物的发光是Eu^2 的4f^65d^1→4f^7的电子跃迁,而发光体的长余辉特性是由于发光体中Dy^3 的空位陷阱作用。     

部分钢铁材料在北京地区腐蚀规律研究

对17种黑色金属在北京地区自然环境暴露16年的大气腐蚀数据进行了回归分析,研究发现,碳钢、低合金钢和耐候钢的腐蚀规律符合双对数曲线方程的数学模型,腐蚀过程是阻滞过程。在北京地区,低碳钢、低合金钢和耐候钢的耐腐蚀性能差异不大,严格控制硫含量的低碳钢具有相当好的耐候性。     

调制ARMA模型在地震动仿真中的几个问题探讨

探讨了调制ARMA模型在人造地震动仿真应用中的模型定阶、模型定参及初始随机序列的影响问题。算例表明,引入强度包线函数对ARMA模型的频率特性有一定影响,但仍不失为一种高效、适用的人造地震动仿真方法。     

微透镜阵列的制作及其与图像传感器的集成

介绍了利用硅、熔融石英和聚酰亚胺等材料制作折射和衍射微透镜阵列的工艺和结果,以及这些微透镜阵列分别与红外、可见光图像传感器的集成应用.微透镜与红外256×256PtSiCCD的集成结果表明,微透镜填充系数提高了2.3倍,成像质量明显改善.     

MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟

针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来。它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏 -安特性 ,而且比 PDE模型易于求解 ,从而大大提高了电路模拟的速度。通过模拟几个具体的 RF电路 ,将这个模型与 PDE模型作了比较 ,结果表明两者吻合得很好。     

抓好质量管理争创精品工程

本文介绍了浙江桐柏工程建设过程中的质量管理情况。桐柏工程质量管理引入了ISO9002质量管理体系,强化工程质量管理意识,从施工的各个环节着手,严格把关,利用先进技术和先进设备,科学地控制质量。     

基于嵌入式Linux可扩展路由器的设计

基于嵌入式Linux可扩展路由器硬件结构由X86平台、控制台、双启动U盘、以太网口、串行口组成.对硬件平台、接口和外设驱动程序以及路由新特性的支持,采用Linux kernel 2.4或更高版本.路由功能利用源代码开放软件Zebra实现.控制台主控界面用CISH实现,前台为用户提供模拟路由器操作系统界面,后台通过参数传递与Linux系统内相关命令相连.     

地震地面运动局部谱密度的小波变换估计

已有的不少研究表明,地震地面运动的时频非平稳特性对结构响应有着很大的影响,对这种影响考虑的准确与否直接涉及结构分析的安全性。因此采用能反映时频非平稳特性的时变谱密度(即局部谱密度)来描述地震地面运动是非常必要的。首先从理论上比较了几种局部谱密度的估计方法,指出利用小波变换来估计局部谱密度在精度和速度方面有着相当的优势,有利于局部谱密度在地震动模型化、结构随机响应分析以及动力可靠度评价等方面的应用。然后通过具体算例,对理论分析进行了验证。     

Study of Ge2Sb2Te5 Film for Nonvolatile Memory Medium

The amorphous Ge2Sb2Te5 film with stoichiometric compositions was deposited by co-sputtering of separate Ge, Sb, and Te targets on SiO2/Si (100) wafer in ultrahigh vacuum magnetron sputtering apparatus. The crystallization behavior of amorphous Ge2Sb2Te5 film was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and differential scanning calorimetry (DSC). With an increase of annealing temperature, the amorphous Ge2Sb2Te5 film undergoes a two-step crystallization process that it first crystallizes in face-centered-cubic (fcc) crystal structure and finally fcc structure changes to hexagonal (hex) structure. Activation energy values of 3.636±0.137 and 1.579±0.005 eV correspond to the crystallization and structural transformation processes, respectively. From annealing temperature dependence of the film resistivity, it is determined that the first steep decrease of the resistivity corresponds to crystallization while the second one is primarily caused by structural transformation from     

一种消除失调的开关电容带隙基准电路

 本文介绍了一种基于开关电容的带隙基准芯片电路.本文巧妙地利用电容和开关的模拟电阻,实现了静态电流小,温度系数好的开关型基准电压.同时运用自动调零技术,克服了线性基准的失调缺陷,消除了运放的失调电压,提高了输出电压的失调精度.电路在0.5μm VIS CMOS工艺下实现,温度系数29×10^-6V/℃,20mV输入失调电压下的电压漂移仅为0.4mV.