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介绍了ADSS光缆的力学计算,给出了光缆弧垂、张力、应变和悬长等计算公式,并对普遍采用的“悬链线”和“抛物线”两种计算方法加以比较。 相似文献
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研究了18种具有不同孔结构参数的粒状铜基甲醇合成催化剂孔隙率对有效扩散系数的影响。结果发现,催化剂微孔孔隙率增大,曲节因子亦增大,扩散阻力增加。将孔隙率与催化剂曲节因子关联,得到了半经验方程,用它可估算催化剂的曲节因子。 相似文献
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Rui Morimoto Chisato Yokomori Akiko Kikkawa Akira Izumi Hideki Matsumura 《Thin solid films》2003,430(1-2):230-235
In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiNx films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O2 oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiNx prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiNx films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm−1 of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 107–108 are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process. 相似文献
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1000.
中国第三代移动通信技术发展概况与战略建议(上) 总被引:1,自引:0,他引:1
本文第一部分重点介绍了中国移动通信的现状以及国际3G的现状,并简单介绍了3G通信存在的几个问题。 相似文献