基于S-CDMA的HFC上行信道接入协议性能仿真分析

讨论了基于S－CDMA的HFC网上行信道的高效接入协议－SAMA，提出了双信道接入机制的工作原理，并对系统性能进行了分析与计算机仿真，得到一些有意义的结论。     

高非线性光纤及其应用

介绍了各种高非线性光纤的原理，并对其在超连续（SC）脉冲的产生和波长变换上的应用作了讨论。     

ADSS光缆的力学计算

介绍了ADSS光缆的力学计算，给出了光缆弧垂、张力、应变和悬长等计算公式，并对普遍采用的“悬链线”和“抛物线”两种计算方法加以比较。     

铜基催化剂孔隙率对气体有效扩散系数的影响

研究了18种具有不同孔结构参数的粒状铜基甲醇合成催化剂孔隙率对有效扩散系数的影响。结果发现，催化剂微孔孔隙率增大，曲节因子亦增大，扩散阻力增加。将孔隙率与催化剂曲节因子关联，得到了半经验方程，用它可估算催化剂的曲节因子。     

Z900MCM综述

介绍了Z900 MCM设计和布局,可控塌陷芯片连接(C4)工艺在Z900 MCM组装中的应用。从设计上通过加入垂直电感器及去耦电容器减小其噪声。通过基板测试和功能测试,剔除有缺陷的基板和芯片。Z900 MCM采用先进的MCM—D技术和MCM返工及冷却技术。Z900 MCM平均无故障时间高达40年。     

Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application

In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiN_x films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O₂ oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiN_x prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiN_x films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm⁻¹ of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 10⁷–10⁸ are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process.     

松潘-甘孜褶皱带的深部地壳构造特征及油气前景

四川松潘-甘孜褶皱带一直是地球科学家关注的一个焦点。近年来，石油地质学家也对它表现出了很大的兴趣。根据地震测深、重、磁、电等的探查，发现该褶皱带深部有一低速高导层，而对大火成岩省一峨眉玄武岩喷溢-地幔柱的认识深化均表明，四川松潘-甘孜褶皱带是可望获得油气勘探突破的靶区，重要的是断裂构造、圈闭、储集层的耦合与优化。     

1,4,5,8-四氮杂氢化萘（2,3,-6,7）并双呋咱衍生物的合成

由1，4，5，8—四氮杂氢化萘(2，3，-6，7)并双呋咱经羟甲基化、酰化、硝化和叠氮化等反应合成出一系列热稳定的呋咱含能衍生物，并以^1HNMR、IR、MS、元素分析鉴定了其结构。     

临南油田夏52块沙三中泥质砂岩油层精细评价

临南油田夏 5 2块沙三中泥质砂岩油层分布广 ,未动用程度高 ,为了稳定产量 ,急需寻找可直接投产的泥质砂岩油层。本文利用相渗实验资料建立油相相对渗透率与含水饱和度关系 ,从而建立有效渗透率的解释模型。依据有效渗透率和有效厚度将泥质砂岩油层划分等级 ,分区评价 ,这不仅有利于合理开采和保护此类油层 ,降低其生产成本 ,也为预测此类油层产能提供依据     

中国第三代移动通信技术发展概况与战略建议(上)

本文第一部分重点介绍了中国移动通信的现状以及国际3G的现状，并简单介绍了3G通信存在的几个问题。