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111.
Interfacial segregation of Ti in the brazing of diamond grits onto a steel substrate using a Cu-Sn-Ti brazing alloy 总被引:1,自引:0,他引:1
Wen-Chung Li Shun-Tian Lin Cheng Liang 《Metallurgical and Materials Transactions A》2002,33(7):2163-2172
Diamond grits were brazed onto a steel substrate using a prealloyed Cu-10Sn-15Ti (wt pct) brazing alloy at 925 °C and 1050
°C. Due to the relatively high concentration of Ti in the brazing alloy, the braze matrix exhibited a composite structure,
composed of β-(Cu,Sn), a Cu-based solid solution, and various intermetallic compounds with different morphologies. The reaction of Ti with
diamond yielded a continuous TiC layer on the surfaces of the diamond grits. On top of the TiC growth front, an intermetallic
compound, composed of Sn and Ti, nucleated and grew into a randomly interwoven fine lacey structure. An interfacial structure
developed as the interwoven fine lacey phase was semicoherently bonded to the TiC layer, with the Cu-based braze matrix filling
its interstices. The thickness of such a composite layer was increased linearly with the square root of isothermal holding
time at 925 °C, complying with the law of a diffusion-controlled process. However, at 1050 °C, the segregation behavior of
Ti and Sn to the interfaces between the TiC layer and the braze matrix diminished, due to the increased solubility of Ti in
the Cu-based liquid phase. The enhanced dissolution of Ti in the Cu-based liquid phase at 1050 °C also caused the precipitation
of rod-like CuTi with an average diameter of about 0.2 μm during cooling. SnTi3 was the predominant intermetallic compound and existed in three different forms in the braze matrix. It existed as interconnected
grains of large size which either floated to the surface of the braze matrix or grew into faceted grains. It also exhibited
a nail-like structure with a mean diameter of about 1 μm for the rod section and a lamellar structure arising from a eutectic reaction during cooling. 相似文献
112.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
113.
研究了分析人员的心理状态、情绪变化、内在动机等对分析数据的影响,提出了具体的对策和预防措施 相似文献
114.
115.
基于局部多项式逼近的变参数梯度估计算法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了梯度辨识算法跟踪时变系统的缺点,提出了一种新的基于局部多项式逼近的变参数梯度估计算法。本算法具有良好跟踪性能特别适用于时变系统跟踪且其对噪声的敏感程度与一般梯度估计方法相当。仿真结果验证了其良好性能。 相似文献
116.
117.
118.
The Synthesis of Sulfated Titanium Oxide Nanotubes 总被引:1,自引:0,他引:1
Chiu-Hsun Lin Shu-Hua Chien Jiunn-Hsing Chao Chyi-Yang Sheu Yu-Cheng Cheng Ya-Jean Huang Chih-Hsiang Tsai 《Catalysis Letters》2002,80(3-4):153-159
TiO2 nanotubes can be prepared in gram quantities by treating anatase TiO2 powder with concentrated NaOH solution. These TiO2 nanotubes acquired strong acidity after being impregnated with sulfuric acid solution and calcined at 300 °C. The anatase TiO2 powder used to prepare the nanotube did not catalyze the esterification between cyclohexanol and acetic acid, while sulfated TiO2 nanotubes were very reactive toward the esterification reaction. 相似文献
119.
120.
DNA序列比对分析中的统计特征方法 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新的基于统计的序列特征定义,并以此对进化树进行构建.同时对这一方法进行了分类测试和进化树构建测试,发现所得测试结果与同样是用进化树进行构建的基于两序列比对的传统算法比较,其性能和适用性都有明显改善. 相似文献