跟踪系统中跟踪器延迟的自适应预测补偿方法

跟踪系统中跟踪器的延迟会对系统的稳定性和跟踪精度产生不利影响。为此以典型Ⅱ型系统为例，理论上定理地分析了跟踪器延迟对跟踪系统的影响，并提出了将采用LMS算法和横向滤波器结构的自适应滤波器用于延迟预测补偿的方法。仿真结果验证了方法的有效性。     

虚拟企业图纸数据传输

图纸数据是企业间合作需交换的一种重要的信息。本文分析了虚拟企业环境下企业之间交换图纸数据的要求，提出了一种具体的解决方案，并给出实例。     

HIPS-g-MA共聚物对HIPS/PC共混物相容性、形态和拉伸性能的影响

研究了HIPS／PC共混物的相容性及HIPS－MA对HIPS（30）／PC（70）共混物的相容性、形态和拉伸性能的影响。DSC研究结果表明，HIPS／PC共混物中PS的玻璃化转变温度（Tg)不随组成而变化，而PC的Tg随其质量分数的降低逐渐向低温移动，说明HIPS／PC是部分相容体系。通过DSC、扫描电镜形态观察和拉伸性能测试结果发现，当HIPS－g-MA的含量低于7．5％时，共混物的相容性改善不明显，当其含量达到7．5％时，对共混物有明显的乳化作用，说明饱和的界面浓度在7．5％左右。HIPS－g-MA接枝共聚物在HIPS（30）／PC（70）共混物中的增容作用可能是酯交换反应原位生成的嵌段共聚物所致。     

纳米聚N-异丙基丙烯酰胺微凝胶的光引发聚合

选择具有温敏性的高分子单体N－异丙基丙烯酰胺（N－isopropylacrylamide，NIPAM）为主单体，N，N′－亚甲基双丙烯酰胺（methylenebisacrylamide，MBA）为交联剂，运用光引发无皂乳液聚合的方法合成出粒径小于100nm的高分子微凝胶，并研究了在改变体系组成和条件时微凝胶粒径的变化。结果显示，在乳化剂临界胶束浓度以下，随着乳化剂浓度的提高，微凝胶粒子的粒径不断关小且趋向稳定；相比于热引发，产生的微凝胶具有较高的单分散性而且粒径较小。     

电沉积Ni-W合金镀层的X射线光电子能谱分析

采用X射线光电子能谱（XPS）对电沉积Ni-W合金镀层表面膜进行了分析。研究结果表明，Ni-W合金镀层表面存在一层薄的氧化膜，而钨的氧化作用远大于镍，Ni-W合金镀层中W含量的提高对耐蚀性起决定作用。     

Sensitizing Mechanism and Adsorption Properties of Dye—Sensitized TiO2 Thin Films

The dye-sensitized TiO2 complex films were prepared by the dye coat onto TiO2 surfaces,and the sensitizing mechanism and adsorption properties of the dye-sensitized TiO2 complex films were inverstigated.The influence of the application conditions of dye adsorbed on TiO2 films on the amount of dye adsorption was discussed.Experimental results show that the concentration,the temperature of dye solutions and the dipping time of TiO2 films in the dye solutions have a significant influence on the amount of dye adsorption.Cell test indicates that the conversion efficiency of light to electricity increases with the amount of dye adsorption.     

榆树林油田砂岩储层敏感性研究

榆树林油田储层粘土矿物含量较高，各种注入条件和施工条件都会对该储层造成相应的伤害，应采取相应的防护措施，为防止速敏的发生，储层的注水速度应控制在临界流速（1.0mL/min）以下，在油井转注时，可先注入1.09PV的含粘土稳定剂的进行处理，以提高产量或注入量，注入阴离子表面活性剂配置的活性水再注入地层水，不能增加地层水的渗透率，该项试验研究对指导榆树林油田的开发具有重要的意义。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

微机字处理网络系统智能接口的设计

本文介绍了微机字处理系统网络联机的智能接口设计方案，采用比较简单而独特的手法，解决了通信控制和资源共享问题．