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Transient hot-electron effect and its impact on circuit reliability are investigated. The rate of device decay is monitored as a function of the gate pulse transient period. Simulation results reveal that excess charges during a fast turn off time may cause an increase in the maximum substrate current. This, along with our experimental data, identifies that transient excess carrier may cause the enhancement of device degradation under certain stress conditions. The enhancement factor of the degradation is a function of the gate pulse transient time. Correlation between the analysis based upon AC/DC measurement and calculations based upon transient simulation are shown in the paper. Better agreement with experimental data is obtained by using the transient analysis and on chip test/stress structures. The correlation between AC and DC stress data is also shown based on the impact ionization model. A hot-electron design guideline is proposed based on the circuit reliability analysis. This guideline can help improve the circuit reliability without adversely effecting the circuit performance. 相似文献
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介绍了电力市场仿真和培训系统(PMSTS)的设计及实现。该系统基于 Net Framework框架结构,建立在统一的底层数据库之上,采用模块化结构体系、可视化图形界面,由教员台(客户/服务器结构)、学员台(浏览器/服务器结构)2部分组成,可以仿真不同电力网络在不同市场交易规则下的运行过程,达到培训、指导电力市场参与者的目标,并且对电力市场机制的设计和评估具有重要的理论参考价值。立足于电力市场运作的仿真和培训,该系统可以检验电力市场决策方案的合理性和有效性,能够帮助广大电力系统专业的学生及专业人员理解、熟悉电力交易机制,掌握市场规律。通过IEEE 30节点系统的算例,验证了该系统的有效性和实用性。 相似文献
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