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This study used different metals to modify Rh/Al2O3 catalysts for NO reduction in a simulated waste incineration flue gas containing 6% O2. The characteristics of the modified catalysts were analyzed using BET, TEM and XRD. The results of the experiment reveal that Na addition can significantly affect the properties of Rh/Al2O3 catalysts on the BET surface area and Rh metal dispersion. Furthermore, Na addition was found to significantly enhance the NO conversion of Rh/Al2O3 at 250–350 °C. On the contrary, Cu, Ni, and Co addition was found to have slight suppression effects. 相似文献
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提出一种基于二维多波束形成的蜂窝网覆盖方法,该方法旨在通过对平面阵阵元权矢量的控制,使所形成的波束在空域上呈非均匀蜂窝网结构,达到重点地区覆盖密度高,非重点区域覆盖密度低的目的,减小资源利用率,并重点分析了波束设计思路和权值的计算方法,仿真结果表明:该覆盖方法是有效的. 相似文献
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目前的电路仿真软件通常是在电路中所有元件值都是给定的情况下得到一些数值结果,而非解析结果。该文利用Matlab的符号运算功能编程,通过节点列表法,实现了任意线性电路的自动解析求解,为电路分析提供了一个有效的辅助工具。 相似文献
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Min Chan Kim Dong Won Lee Chang Kyun Choi 《Korean Journal of Chemical Engineering》2008,25(6):1239-1244
When a horizontal homogeneous solid is melted from below, convection can be induced in a thermally unstable melt layer. In
this study the onset of buoyancy-driven convection during time-dependent melting is investigated by using similarly transformed
disturbance equations. The critical Rayleigh numbers based on the melt-layer thickness are found numerically for various conditions.
For small superheats, the present predictions approach the well known results of classical Rayleigh-Bénard problems, that
is, critical Rayleigh numbers are located between 1,296 and 1,708, regardless of the Prandtl number. However, for high superheats
the critical Rayleigh number increases with an increase in phase change rate but with decrease in Prandtl number. 相似文献
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Effect of Thickness of the p-AlGaN Electron Blocking Layer on the Improvement of ESD Characteristics in GaN-Based LEDs 总被引:1,自引:0,他引:1
Chung-Hsun Jang Sheu J.K. Tsai C.M. Shei S.C. Lai W.C. Chang S.J. 《Photonics Technology Letters, IEEE》2008,20(13):1142-1144
The following letter presents a study regarding GaN-based light-emitting diodes (LEDs) with p-type AlGaN electron blocking layers (EBLs) of different thicknesses. The study revealed that the LEDs could endure higher electrostatic discharge (ESD) levels as the thickness of the AlGaN EBL increased. The observed improvement in the ESD endurance ability could be attributed to the fact that the thickened p-AlGaN EBL may partly fill the dislocation-related pits that occur on the surface of the InGaN-GaN multiple-quantum well (MQW) and that are due to the strain and the low-temperature-growth process. If these dislocation-related pits are not partly suppressed, they will eventually result in numerous surface pits associated with threading dislocations that intersect the InGaN-GaN (MQW), thereby reducing the ESD endurance ability. The results of the experiment show that the ESD endurance voltages could increase from 1500 to 6000 V when the thickness of the p-AlGaN EBL in the GaN LEDs is increased from 32.5 to 130 nm, while the forward voltages and light output powers remained almost the same. 相似文献