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171.
本文报道 Nb,Ti 微合金钢的热变形动态模拟变形抗力模型。在试验中用热加工模拟试验机进行高温压缩试验,其变形温度为1123—1423K,变形速率为0.1—60s~(-1)。结果表明,在峰值以前该钢种的流变应力数学模型为:σ=5.99.ε~(0.167)·(?)~(6.47×10~(-5)·T)·exp(4064/T)。形变激活能(Q)为444 kJ/mol,β系数为0.080。峰值应力(σ_p),临界应变(ε_c)和温度补偿应变速率参数(Z)之间的关系分别为:σ_p=12.56·lnZ-391.8;lnε_c=0.157·lnZ-7.39。  相似文献   
172.
一种主机与网络相结合的漏洞扫描工具的设计与实现   总被引:4,自引:0,他引:4  
计算机安全问题是在信息化过程中急需解决的问题 ,而安全漏洞的发现对保护系统安全有着非常重要的意义。网络管理人员由于种种原因 ,很难及时、全面地测试系统的安全性。因此 ,设计一种能代替他们进行测试的工具就显得十分必要。本文首先对漏洞扫描的原理进行了分析 ,主要介绍了一种主机与网络相结合的安全漏洞扫描的设计及实现。  相似文献   
173.
电子聚合物基体碳纳米管复合材料研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
电子聚合物是一种新型的功能材料,碳纳米管具有优异的力学性能和独特的电学性能等,是聚合物基体复合材料的理想增强体,按不同电子聚合物基体类型进行了归纳,评述了电子聚合物基体碳纳米管复合材料的制备,性能和应用等情况。  相似文献   
174.
辐射技术在食品加工中的应用   总被引:9,自引:0,他引:9  
综述了食品辐射加工的原理及其作用效果,以及该技术在欧美的应用现状及存在的发展障碍。  相似文献   
175.
钠冷快堆中喷雾钠火的计算分析   总被引:5,自引:0,他引:5  
根据钠冷快堆中喷雾钠火的特点建立了理论模型,编制了SSPRAY程序。该程序模拟钠喷雾燃料过程中钠滴的运动、钠和氧气的燃烧反应、热量传递和质量传递等瞬态过程。用该程序计算了气体和墙壁温度、气体压力、氧气摩尔份额、喷雾流燃烧速率和热量热递速率等主要参数。利用AI实验数据和美国SPRAY-3A的计算结果对程序进行了验证,结果符合较好。  相似文献   
176.
采用X射线光电子能谱(XPS)对电沉积Ni-W合金镀层表面膜进行了分析。研究结果表明,Ni-W合金镀层表面存在一层薄的氧化膜,而钨的氧化作用远大于镍,Ni-W合金镀层中W含量的提高对耐蚀性起决定作用。  相似文献   
177.
磨损自补偿添加剂在成品油中的摩擦学效应   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用四球试验机考察了二聚酸-3-氯-2-羟基丙单酯(DAE)在4种成品油中的摩擦学性能。试验结果表明,DAE添加剂在L-HM68液压油和L-DAB100空压机油中具有良好的适应性,使其承载能力增强,摩擦系数降低及耐磨性增强;DAE在L-CKE涡轮蜗杆油中使耐磨性增强;DAE在L-CKC150齿轮油中虽使承载能力提高,减磨性增强,但有使耐磨性减小的趋势,说明DAE在不同的油中有不同的性能。  相似文献   
178.
中国先进研究堆导流箱流场的数值模拟   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用目前国内普遍使用的计算流体力学 (CFD)软件PHOENICS 3 2对中国先进研究堆不同结构的导流箱的三维流场进行数值模拟计算。结果表明 :导流箱入口导流板和导流筒能显著改善导流箱入口冷却剂的流动状况 ,获得入口冷却剂沿周向均匀分流的效果 ,达到显著减缓入口冷却剂对垂直辐照孔道导管及安全棒导管直接的横向水力冲刷的设计目的  相似文献   
179.
线性时变系统的区间稳定性与鲁棒稳定性   总被引:7,自引:0,他引:7  
本文应用向量比较定理研究线性时变系统的区间稳定性和具非线性时变摄动的线性时变系统的鲁棒稳定性,所得的新结果包含文献的一些主要结果作为特例,本文的研究方法说明向量比较方法是分析区间稳定性和鲁棒稳定性的一种自然而有力的工具。  相似文献   
180.
The alkali-metal Na adsorption on Si(100)2×1 surface and its promoted oxidation and Si oxidegrowth have been investigated by means of thermal desorption,work function,Auger electronspectroscopy and photoemission electron spectroscopy.The experimental data showed that therewas a new state,interface electron state,near the Fermi level after the deposition of Na atoms.It wasfound that the presence of Na always caused an increase of the oxygen initial uptake whereas thepromotion of Si oxide growth was observed only at the coverage of Na greater than 0.5 ML.A newmechanism of Na-promoted Si oxide growth is suggested in this paper.  相似文献   
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