清除高剂量离子注入中产生的表面沾污

采用Auger电子分光镜(AES)检测由高剂量离子注入产生的硅上表面沾污层。纵向剖面分析证明当在注入机靶室的真空系统中用普通扩散泵油,Si~ 或BF_2~ 的高剂量注入导致～100A厚的碳质表面层。注入机剩余真空的碳氢化合物的物理吸附以及辐照感应聚合反应是形成这种沾污层的最大原因。在重注入硅中经常观察到这种沾污层可引起非均匀腐蚀特性和非欧姆接触结构。用有机溶剂清洗或过氧化物清洗溶液,在550℃下退火100分钟,并按势垒层剥除工艺估计阳极氧化及HF解吸作用。只发现HF解吸和阳极氧化对完全清除聚合层有效。实质上,用过氟化聚醚油替换靶室真空系统中的普通扩散泵油清除沾污。最近几年,在制造双极晶体管,FET源和漏区以及在其它各种应用中,对用高剂量离子注入工艺的要求日益增长。然而,已知离子束感应吸附的碳氢化合物聚合,导致在离子注入的样品(1.2)上形成碳化表面沾污层。注入机的剩余真空是碳氢分子的主要来源。沾污层的厚度随剂量的增加而增长,所以,重注入Si呈现出可注意到的沾污问题,反冲碳可产生结构上损伤浅P—n结的反相电流,并在注入退火后形成硅碳化物。为了更好的了解这种沾污问题并阐明解决方法,使用Auger电子分光镜(AES)检查在各种注入条件下制备的高剂量注入的硅表面层。估计了各种表面层的剥离技术,也分析了注入机真空系统中的注入温度效应和扩散泵油的种类。最后,估计化学腐蚀和欧姆按触结构对表面沾污的效应。     

Non-Steady Equilibrium during Pro-Eutectoid Ferrite Formation in Fe-0.2C Alloy

Ｔｈｅｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎｏｆｐｒｏ ｅｕｔｅｃｔｏｉｄｆｅｒｒｉｔｅｆｒｏｍａｕｓｔｅｎｉｔｅｉｓｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｙｄｉｆｆｕｓｉｏｎｉｎＦｅ Ｃａｌｌｏｙｓ .Ｗｉｔｈｔｈｅａｓｓｕｍｐｔｉｏｎｔｈａｔｔｈｅｍｉｇｒａｔｉｎｇｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｓａｌｗａｙｓｉｎｌｏｃａｌｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ,ｅａｒｌｙｉｎ 194 9,ＺｅｎｅｒＣ[1] ｅｘｐｌａｉｎｅｄｔｈｅｄｉｆｆｕｓｉｏｎａｌｇｒｏｗｔｈｏｆｐｒｏ ｅｕｔｅｃ ｔｏｉｄｆｅｒｒｉｔｅｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅＦｉｃｋ’ｓｌａｗ .Ｓｉｎｃｅ…     

JT—60U稳态运行的约束和稳定性进展

本文介绍了ＪＴ－６０Ｕ托卡马克在建立具有高聚变性能的稳态、完全非感应电流驱动等离子体的物理和技术基础的方面最新成就、最新的结果着重于：（１）高性能反向磁剪切放电「在ＩＰ＝２．８ＭＡ，Ｐａｂｓ＝１７ＭＷ时，理想的等效ＱＤＴ为１．０５，约束增强因子（Ｈ因子）为３．２３，规范化β值为１．８８」，首次观察到电子和离子的热输运势垒；（２）世界上首次注入基于负离子的中性氘束来研究电流驱动、加热和高能粒子行为（     

地下开采水平的最优布置

近年来,在采矿期刊上发表许多有关最小矿井运输费用的文章。关于运输线路的细节与是否能保证费用最小却很少考虑。在运输问题中,重要的因素是与线路有关的投资,筑路费用或巷道掘进费用。除了特殊的情况外,使运输费用最小的运输网络,并不提供掘进费用的最小解。本文阐述怎样把数学程序——双曲面近似程序用于地下开采水平的布置问题。     

废污水处理再利用

工业废水,生活污水处理后再行利用,是解决城市水源缺乏、防止城市环境污染、保护城市水源的重要措施。废污水的研究和实践,国外一些工业发达国家不仅在理论、技术、设备上较为成熟,而且投资很多,城市废污水处理普及率相当高。国外一般多采用二级处理,经过处理后的废污水再用于农业灌溉、工业冷却、卫生设备冲洗、街道清洗、城市绿化等方面。国外在近二三十年中废污水处理率有较大提高。如瑞典50年代只有10个城市有污水处理厂,到1974年已发展到1540个污水处理厂,二级处理