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Vacuum treatment and ion-beam bombardment are two major processes in the low energy ion-beam implantation. To accurately study the contributions of these two major factors to the bioeffects separately, the M1 generation variation of Arabidopsis thaliana with ion-beam implantation and vacuum treatment were compared through a series of key plant development parameters including morphological observation, biochemical assay and RAPD (random amplified polymorphic DNA) analysis. The results showed that ion-beam implantation had obvious effect on almost all of these parameters, and the vacuum treatment had some impacts on several morphological parameters such as the bolting time and the length of the primary stem. Taking the results together, the indication is that vacuum treatment has some slight contributions to the bioeffects of ion-beam implantation while ion-beam bombardment itself is the major creator of the bioeffects. 相似文献
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Zukerman M. Wong E.W.M. Rosberg Z. Gyu Myoung Lee Hai Le Vu 《Communications Letters, IEEE》2004,8(2):116-118
We provide teletraffic models for loss probability evaluation of optical burst switching (OBS). We show that the popular Engset formula is not exact for OBS modeling and demonstrate that in certain cases it is not appropriate. A new exact model is provided. The various models are compared using numerical results for various OBS alternatives with and without burst segmentation. 相似文献
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乙基叔丁基醚/β分子筛膜反应精馏 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了混合碳四和乙醇合成乙基叔丁基醚(ETBE)的反应精馏过程。实验以支撑β分子筛膜为催化精馏元件,异丁烯转化率高达95%,回流比和醇烯摩尔比是影响异丁烯转化率的主要因素。与甲基叔丁基醚(MTBE)的反应精馏过程相比,以乙醇取代甲醇,只需对MTBE生产的操作条件作一些简单的调整,就可在其生产装置上合成ETBE。 相似文献
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本文对弹药内弹道性能检验的传统方法存在的问题进行了分析,提出了一种新的检验方法,重点对新的检验方法的数学模型的建立过程进行了论述。并对数学模型的精度进行了分析、检验和验证。 相似文献
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Transient hot-electron effect and its impact on circuit reliability are investigated. The rate of device decay is monitored as a function of the gate pulse transient period. Simulation results reveal that excess charges during a fast turn off time may cause an increase in the maximum substrate current. This, along with our experimental data, identifies that transient excess carrier may cause the enhancement of device degradation under certain stress conditions. The enhancement factor of the degradation is a function of the gate pulse transient time. Correlation between the analysis based upon AC/DC measurement and calculations based upon transient simulation are shown in the paper. Better agreement with experimental data is obtained by using the transient analysis and on chip test/stress structures. The correlation between AC and DC stress data is also shown based on the impact ionization model. A hot-electron design guideline is proposed based on the circuit reliability analysis. This guideline can help improve the circuit reliability without adversely effecting the circuit performance. 相似文献