热处理温度对AZ91D化学镀Ni-P镀层性能的影响

利用F106标尺仪、HVS-1000型显微硬度计和PS-16A型电化学测量系统,研究了镁合金AZ91D化学镀Ni-P的结合 强度、镀层显微硬度和极化性能。结果表明,镁合金化学镀镍层的P含量为6．68％(质量分数),与基体结合良好。随着从200 ℃到450℃退火热处理温度的提高,结合力呈现出先减小后快速增大,然后又减小的趋势,在350℃附近可达最大结合强 度3．7 MPa;随着热处理温度的提高镀层硬度先稍有下降而后持续提高,到400℃附近达到最大值825HV0．1／20,随后开始 下降;低于200℃的低温退火处理过程中,镀层的腐蚀电位Ecorr有所提高,高于200℃的退火过程中,腐蚀电位Ecorr和腐蚀电 流整体有下降的趋势。     

高g值高频响微机械加速度计研究

针对侵彻武器测试过程中冲击过载大和频率范围宽的特点,提出了一种微机械电容式加速度计结构,结构中采用分布在整个芯片上的小电容阵列来代替位于中间的单个大电容器.利用ANSYS对加速度计进行了仿真分析,得出加速度计的固有频率超过600 kHz,抗过载能力超过200 000 g,且电容变化量大,灵敏度高.文中还给出了加速度计芯片的加工工艺流程和接口电路.     

鱼雷电机-艉轴系统振动与声辐射特性分析

采用结构有限元软件ANSYS和声学边界元软件SYSNOSIE,对鱼雷电机一艉轴系统振动与声学特性数值计算问题进行了研究,建立了带有电机和轴系装置的鱼雷部分舱段的FEM／BEN数学模型。计算了在电机支撑架为刚性支撑和弹性支撑2种情况下,流固耦合模型结构的振动模态以及基于模拟电机激励下的频响分析。获得了鱼雷结构振动响应特征参数。以振动频响分析计算结果作为声学边界条件,比较了2种情况下结构噪声向外辐射的能力。最后考虑了电机空气动力噪声和敷设吸声材料,采用直接边界元法,对鱼雷近场声学特性进行了计算,计算结果表明,用AN- SYS和SYSNOSIE软件能合理地对鱼雷振动及声学特性进行分析,为工程设计提供了有效的工具。     

基于霍尔哲算法的伺服机构固有频率估算

伺服机构固有频率是影响伺服系统伺服精度、响应能力的重要参数,在设计阶段就需要对伺服机构的固有频率进行计算。霍尔哲算法物理概念清楚,运算简便。用霍尔哲算法编写的应用程序,可以快速计算伺服机构传动链的固有频率,实现传动链固有频率的有效评估和优化设计。     

运载火箭发射过程效能评估方法

论述了效能评估模型及一般分析方法,确定了定量和定性分析相结合的运载火箭发射过程评估方案,阐述了运载火箭发射过程效能评估的多指标综合评价方法,应用层次分析法建立了评估模型,规划了评估体系.最后给出的部分仿真结果描述了系统总体效能和设施设备工作情况及重要度之间的关系,这种关系是符合工程实际的.     

双色线列红外探测器非均匀性校正的数字化设计

文中介绍了双色线列红外探测器非均匀性校正的数字系统设计.针对双色线列红外探测器的特点,采取软硬件相结合的方法,来实现提高系统处理速率的目的.     

一种基于酉变换的测向算法

提出了一种测向算法,该算法对复采样协方差矩阵Toeptitz化后利用酉变换将其与复搜索矢量分别转换为实对称矩阵与实矢量,因而协方差矩阵特征分解和搜索函数的计算可在实数域进行.仿真结果表明此算法是有效的.     

EPDM基涂层在8～14μm波段红外低发射率的研究

以三元乙丙橡胶(EPDM)为粘合剂,通过优化填料的种类、用量和形貌制备了在8～14 μm波段红外发射率为0.14的EPDM/Cu、EPDM/SS涂层.分别对涂层进行红外发射率、反射率、导电率测试,并采用红外吸收光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对其进行结构、形貌表征,从涂层反射、电导率、化学结构、微观形貌等角度分析了涂层低发射率的形成机理.对低发射率涂层样品进行耐温性、附着力,硬度等测试表明该涂层的工程应用性能优良.     

突发OFDM系统中同步算法的FPGA实现

根据突发OFDM系统的特点,提出了一种具有实用价值的同步实现方法。具体分析了突发OFDM系统中利用PN序列联合实现符号定时同步和小数频偏同步的算法,并阐述基于FPGA的实现过程。由Verilog HDL语言描述的同步模块由复数乘法模块,求和累加模块,比较判断模块和CORDIC模块等构成。系统采用Xilinx ISE 10.1来完成开发,同时给出了其在ModelSim SE 6.2b下的仿真结果,结果表明该方案是完全可行的。     

宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究

分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用Cout控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用GaN HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 dBm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。