不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

PZT陶瓷的断裂分析

与有限元法相比,无网格法由于只需节点不用单元而在压电分析中具有优越性。采用一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)的本构模型,以局部J积分作为断裂准则,应用再生核点法这一无网格数值法导出了作用电场与断裂载荷的关系曲线,该曲线的趋势与Park[1]的实验观察现象一致。计算程序采用面向对象方法实现。     

SrTiO3基压敏电阻的研究及其在武器系统中的应用

电子设备的广泛使用带来的设备干扰及浪涌冲击等问题使人们开始关注SrTiO3基压敏电阻器件材料的开发.本文介绍了SrTiO3基压敏电阻的一般制造配方和工艺流程.和ZnO基压敏电阻相比,此材料在低压领域具有更优良的电气性能,如较大的电容量(C=10～150nF);在高于电压临界值又具有较低压敏电压;非线性系数在5～43之间可调;耐浪涌能量大;并且具有自复位特性.这些特性使得它具有高频噪声吸收、前沿快速上升型脉冲噪声吸收和浪涌吸收等功能.针对武器系统的高性能要求,本文提出了SrTiO3基压敏电阻在直流电机消噪、电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌、旁路电容器、通信线路防护、防止电涌冲击等方面的应用.     

新一代深度张力面板

新一代深度张力面板不仅具有基本的深度、张力采集、处理、显示功能,同时还具有多种报警及通讯功能.其最大的特点是采用了液晶显示屏和触摸屏,使得信息的显示更加丰富、直观和醒目.同时,触摸屏的采用,省去了传统的按钮、开关及键盘操作模式,使操作更加方便简洁、自然.该面板可以单独工作,也可以配备于测井、录井地面系统中使用.     

基于保护分散式抽象方法的可扩展操作系统设计

为了提供高性能和柔性，操作系统内核应该只保留最小的功能，今天的操作系统大而低效，更缺乏柔性，我们提出了保护分散式操作系统抽象方法，集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法，这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象，能够使非特权，不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象，它在对相同的抽象重复调用时，通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化，可获得较好的柔性，保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明，易于理解和使用，文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法，并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统－ExLinux/LibOS.     

1.8 V千兆以太网接收器模拟前端预均衡电路

介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路。电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等功能。为了与百兆模式兼容,提出了一种预处理电路。仿真结果表明,该电路可以很好地实现回波消除的功能,能够对由于基带漂移引起的信号失真给以补偿,可以提供16级不同的增益,并进行频率补偿。电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现。     

DMT系统中一种易于实现的时域均衡器

总结了DMT系统中时域均衡器(TEQ)的主要设计方法，指出最大缩短信噪比(MSSNR)TEQ的最优设计方法很难实时实现。提出了一种MSSNR TEQ的次优设计方法，它首先估计出目标抽样窗的最优延迟，然后用分步求解法求出TEQ的抽头系数。和最优方法相比，次优方法的计算量大幅度减少，可实时实现，而其缩短信噪比的损失很小。仿真实验验证了次优方法的有效性。     

组合结构体的控制爆破拆除

根据待拆构筑物的结构特点和周围环境，分析论述构件倒塌的可能性。因地制宜选择，制定出合理的爆破方案。并通过对爆破参数，起爆网络，安全防护等进行精心设计和施工，拆除爆破达到了预期的效果。     

基于SNMP的VLC视频流转码设计和实现

讨论了在Internet上进行网络设备管理的问题，描述了在Linux 9．0环境下，基于UCD-SNMP，使用VLC软件，根据远程用户的需求和VLC转码板提供的功能，实现对VLC转码板的代理端MIB库扩展，以及网络管理端的设计。测试实验证明了所提方案的有效性。     

反铁磁晶体的红外频率特性

研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性，求出了非线性色散方程，揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率，低于这个频率，非线性s偏振表面波的频率范围，发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素，两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。