湿N2退火HfTiO和HfO2栅介质 Ge MOS电特性研究

采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅偏压下的栅极漏电流分别为1.08×10-5A/cm2和7.79×10-6A/cm2。实验结果还表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入提高了介电性能,但是Ti的扩散也使得界面态密度升高。     

2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计

在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一.首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18 μm CMOS工艺给出了工作在2.45 GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性.     

毫米波CMOS集成电路的现状与趋势

随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能.简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势.     

基于天线波束成形的OFDMA系统的自适应资源分配

对正交频分复用接入系统在多用户多天线传输情况下的自适应资源分配策略进行了研究,提出了一种基于天线波束成形的,包括动态子载波分配、自适应调制、比特加载的无线资源分配方案.算法的优化设计目标是在满足总的恒定传输比特数和误比特率性能要求的情况下,使得系统总的发射功率最小.仿真结果表明,由于多天线阵列增益和多用户分集增益,系统整体性能得到了明显的优化.     

圆柱导体电磁散射问题分析

利用矩量法对圆柱导体电磁散射特性进行了研究.基于伽略金法,采用分域基函数展开模式,得出了圆柱导体的电磁散射方向图,并对圆柱体直径和入射波波长不同比例情况下的散射情况进行了研究.文中还用MATLAB给出了圆柱体电磁散射的精确计算结果.     

一种采用0.5 μm CMOS工艺的多通道SAR ADC

设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。     

引江济太工程三维模拟系统研究及实现

探讨了引江济太工程三维模拟系统的结构、功能和实现方法，讨论了三维场景构建和交互驱动的关键技术．提出了大规模场景实时生成的优化方法，给出了动态网格快速生成的解决办法，并利用Open GL三维引擎在PC机系统上开发了引江济太工程三维模拟系统。     

数据库连接池技术研究与应用

在Java语言中，JDBC是应用程序与数据库沟通的桥梁。针对Java利用JDBC访问数据库对数据库连接资源的低效管理的缺点，提出了解决办法——数据库连接池。从其工作原理出发，探讨了数据库连接池的组成、调度策略，并构建了一个简便易用的连接池，并结合当前热门技术Servlet说明了其如何在开发时使用。开发人事管理系统的实践表明，数据库连接池的有效引入，明显提高了系统的性能。     

FMICW信号在非合作多基地雷达中的应用

常规双/多基地雷达在收站和发站之间采用一定的物理链路进行同步,但如果收站或发站在运动平台上就不能建立这样的通信链路,即构成非合作的多基地雷达。讨论线性调频中断连续波(FMICW)在非合作的多基地高频地波雷达中的应用;介绍非合作的多基地高频地波雷达的时间同步问题和对目标回波信号的数字解调问题;通过对回波信号模拟及其处理过程的建模仿真,验证了该方法的有效性。     

在Delphi 7.0中使用DLL

介绍了在Delphi 7.0中DLL的基本概念和创建过程及调用方法。提出了如何将现有工程项目转化成DLL,如何用动态加载的方法进行引用。在调用DLL之后,可以使用单元的Initialization与Finalization对DLL初始化和关闭,也可以用系统预定义的两个过程ExitProc或DLLProc调用DLL,由他们处理DLL的初始化和善后。对使用过程中可能出现的错误和例外情况作了详细的分析。最后指出DLL中需以某种特定的方式声明导出函数、变量和类,应用工程需以某种特定的方式调用DLL的导出函数、变量或类。