基于Bex5+SQL Server的神华黄骅港务公司内部审计系统的开发与实现

文章通过对神华黄骅港务公司内部审计现状的具体分析,开发建设内部审计管理系统.该系统对项目的审计过程和审计结果产生的信息进行统一管理,提供一个功能完备、操作简单、运行稳定的网络化审计数据管理与综合分析应用平台.由于这是一个基于B/S模式的管理系统,因此对审计信息的管理更加及时,提高了工作效率.该系统是基于Bex5开发平台和SQL Server2008数据库的应用管理系统,文章同时对系统的开发技术和设计方案进行了介绍.     

垢样分析中氧化铁含量测定方法的完善

对垢样分析中氧化铁含量的测定方法,结合多年分析化验经验,做了进一步完善,尽可能减少测量过程中的误差,使测定结果更接近真实值.     

提升高校网络文化建设的路径分析

以互联网为载体的高校网络文化,不仅使高校传统的教育、学习和生活方式发生了很大的变化,也为高校的思想政治教育工作带来了新的机遇和挑战.当前提升高校网络文化建设的路径包括:革新网络技术应对高校网络文化的先天不足,加强社会交往弥补高校网络文化的内容局限,丰富话语体系打破高校网络文化的自闭空间,坚持主旋律明确高校网络文化的价值定位.     

论中法两国民族性格的差异

在经济全球化的今天,各国之间的联系日益紧密,交流日益加强,了解各国的民族性格在跨文化交流中显得尤为重要。以对比的形式,从多个方面探讨了中法两国民族性格的差异及其原因,分析了两国不同的价值取向,有利于增进中法两国人民的相互了解,对两国之间的跨文化交流有着重要的借鉴意义。     

中频条件下真空灭弧室的纵向磁场仿真

该文研究了中频400～800Hz条件下纵磁真空灭弧室内的磁场特性,利用Ansys Maxwell求解了三维瞬态纵向磁场分布.由计算结果可知:在电流变化的过程中,中心区域纵向磁场的变化明显滞后于其他区域.电流峰值时在触头片开槽交错放置的位置有磁场峰值区域,电流过零时中心区域有明显剩磁.当频率增加时,涡流效应更明显,使纵向磁场的磁感应强度值减弱.对中心点,频率提高导致过零时剩磁增加,磁场滞后相位更明显,影响电弧扩散.增加触头片开槽数可以减弱涡流效应,而增加触头杯座槽旋转角,触头中间平面磁感应强度的最大值近似线性增加.文中通过分析电弧形态和电压等实验结果验证了磁场滞后对真空灭弧室的开断能力的影响.     

阴极保护用阳极

介绍了牺牲阳极材料中镁基、锌基、铝基阳极的化学成分和性能特点，以及多种外加电流阴极保护用阳极材料的特点。通过对石墨阳极、高硅铸铁阳极和铅银合金阳极、镀铂阳极和混合金属氧化物阳极的性能比较，认为混合金属氧化物阳极是最为理想和最有前途的辅助阳极材料。     

IrO2对Ti基阳极电化学性能的影响

根据阳极在各行业中应用的要求，从贵金属（铂、铑、铱、钌等）中筛选了铱和钌，在钛基体上进行涂覆，然后，在不同温度下烧结制备成RuO2-IrO2-TiO2/Ti阳极，并对涂层阳极的强化寿命和析氯开路电位进行了测试，采用扫描电镜（SEM）对涂层结构进行了观测分析，结果表明，RuO2-IrO2-TiO2/Ti钛基涂层阳极的最佳烧结温度为450℃，IrO2含量的最佳值为30％（摩尔百分比）。     

Fe3+掺杂对氧化钛凝胶相变过程的影响

采用溶胶-凝胶法制备不同含量Fe3+掺杂的纳米氧化钛粉体,利用X光衍射仪研究了氧化钛凝胶的相变过程,分析了产物的晶体结构、金红石转变量和锐钛矿晶粒尺度.试验结果表明,Fe3+的掺杂抑制了锐钛矿相变,促进锐钛矿向金红石相的转变;阻碍锐钛矿晶粒的长大.Fe3+掺杂量大于2mol%时,在600℃烧结获得小于40nm的锐钛矿晶体.     

高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究

目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构。综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8∶0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80%,在8～14μm红外波段的辐射率小于0.2。结论磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜。