TiO2薄膜的液相沉积法制备及其性能表征

采用液相沉积法（LPD）制备了透明TiO2薄膜,并研究了所制薄膜的形貌、结构和在紫外光照射下亲水性能的变化．结果表明,用此法制得的TiO₂薄膜较为均匀致密,热处理前后的薄膜具有相似的亲水性能,在紫外光照射下亲水性能都有提高．热处理后的薄膜在紫外光照射一定时间后可与水完全润湿．     

改性聚硅氧烷整理对涤纶织物性能的影响

以自制的改性聚硅氧烷柔软剂对涤纶织物进行整理,探讨了柔软剂质量浓度、温度、时间、pH等参数对涤纶织物的手感、硬挺度、白度、悬垂系数和折皱回复角等性能的影响。试验结果表明,最佳整理工艺参数为:有机硅柔软剂质量浓度40 g/L焙烘温度150℃整理液pH 5.5~6.0焙烘时间60 s;经过有机硅柔软剂整理后,涤纶织物具有良好的柔软性折皱回复角减小。     

汽车后桥园锥从动齿轮表面缺陷分析

某厂生产的汽车后桥园锥从动齿轮经热处理过后表面出现了蚀坑缺陷,分析了此类缺陷,探讨了其形成原因。     

Fe3O4负载Ti3C2Tx对Pb(Ⅱ)的吸附性能研究

Ti₃C₂T_x MXene材料具有二维层状结构及丰富的表面官能团,是一种非常有潜力的重金属离子吸附材料,但其层间距较小,且在水溶液中的稳定性较差。本工作探索了Ti₃C₂T_x的改性策略,提高其化学稳定性与离子吸附容量,利用一步水热方法制备出不同Fe₃O₄掺杂量的Fe₃O₄-Ti₃C₂T_x(FeMX)复合吸附剂材料。研究结果表明：FeMX吸附剂对Pb(Ⅱ)的理论饱和吸附量可达到210.54 mg/g。研究进一步揭示了FeMX材料对Pb(Ⅱ)离子的吸附机理,Fe₃O₄纳米颗粒均匀分散、插层在Ti₃C₂T_x纳米片层间,有效增加了Ti₃C₂T_x     

Ag掺杂对TiO2粉末结构的影响

采用溶胶-凝胶工艺制备了Ag掺杂的TiO2粉末.通过XRD、SEM、EDX、DSC-TG、BET氮吸附法等研究了Ag掺杂对TiO2结构的影响,结果发现掺杂的Ag降低了TiO2锐钛矿向金红石相转变的温度,促进了相转变.适量掺杂时,Ag抑制了锐钛矿粒子的生长,结果使锐钛矿粒子的粒径降低,TiO2粉末的比表面积增加.     

大面积3D有序介孔二氧化钛薄膜光子晶体制备与性能研究

介绍了大面积有序反蛋白石结构介孔二氧化钛薄膜光子晶体制备与性能研究的进展.为了保证二氧化钛骨架结构的稳定性和有序度,从而使氧化钛介孔薄膜达到大面积结构均匀,在介孔薄膜制备过程中采用了几种新的工艺方法,其中包括二氧化硅晶体模板的应用和用NaOH溶液代替常用的HF溶液作为模板去除剂.制备的介孔二氧化钛薄膜光子晶体的面积达到厘米尺寸,二氧化钛骨架的填充率达到17.4%,薄膜制备过程中的收缩率<3%.薄膜透射光谱研究结果表明,这种大面积3D有序的反蛋白石结构介孔二氧化钛薄膜具有非常优良的光子带隙特性,有望成为一类具有非常好的发展和应用前景的光子晶体材料.     

Ag掺杂对TiO2粉末结构的影响

采用溶胶-凝胶工艺制备了Ag掺杂的TiO2粉末。通过XRD、SEM、EDX、DSC-TG、BET氮吸附法等研究了Ag掺杂对TiO2结构的影响，结果发现掺杂的Ag降低了TiO2锐钛矿向金红石相转变的温度，促进了相转变。适量掺杂时，Ag抑制了锐钛矿粒子的生长，结果使锐钛矿粒子的粒径降低，TiO2粉末的比表面积增加。     

基于MD5算法的物联网传输模块设计

依据网络智能化传感器的特点,结合TCP/IP协议通信特点,以MCF52236CAF50单片机为核心控制器,设计了一种基于物联网功能可以将模拟信号转换成数字信号的模块,同时为了保证数据传输的安全性,加入了信息-摘要(MD5)加密算法,实现了信息在物联网中的安全有效传输.     

智能热控涂层性能研究

采用高温烧结固相反应法制备了钙钛矿结构锰化合物热控涂层。利用变温场稳态卡计法半球热辐射率测试设备研究了热控涂层的红外半球发射率和温度之间的关系。结果表明该化合物在低温条件下表现为低热辐射率特性,在高温表现为高热辐射率特性。此外,还对该热控涂层进行了真空-紫外、真空-质子、真空-电子辐照、热循环、真空-放气等空间环境模拟实验,实验表明这种智能涂层具有良好的空间稳定性。说明该热控涂层在未来的航天器上具有广阔的应用前景。     

KH-560改性SiO2绝缘薄膜的制备及性能研究

软磁合金是新一代质子/重离子同步加速器加速器的核心材料,在其表面涂覆绝缘涂层可有效降低高频涡流损耗。同时,高温热处理(~600 ℃)可有效减少软磁合金冷压成形产生的缺陷和位错而引起的内部残余应力。因此,软磁合金用绝缘涂层还需满足耐高温要求。SiO₂涂层是最常见的无机涂层材料,具有良好的绝缘性能和耐高温性能。本工作在植酸催化TEOS+MTES制备硅溶胶的基础上,加入硅烷偶联剂KH-560进一步提高硅溶胶的成膜性能,系统研究了KH-560对SiO₂涂层结构与性能的影响,并系统分析了KH-560提高SiO₂涂层性能的机理。研究表明,添加适量的KH-560可有效提高薄膜的稳定性和成膜性。特别是当KH-560添加量为0.04 mol时,SiO₂涂层质量最好,SiO₂-0.04 KH涂层表现出最佳的耐腐蚀性和电绝缘性。在100 V时,SiO₂-0.04 KH涂层的方块电阻仍保持2.95×10¹¹Ω/□。综上,本研究利用植酸催化和KH-560改性协同作用制备出高质量的SiO₂涂层,涂层具有良好的耐高温和优异的绝缘性能。