基于嵌套缺陷地谐振器的紧凑型多通带滤波器*

根据双模缺陷地谐振器(DDGSR)在结构上易于嵌套实现多通带滤波器的独特优势,以及通过馈线中加上枝节线引入传输零点改善高频阻带特性的方法,提出了一种新颖的具有较陡边带和较宽高阻带特性的四通带滤波器。一节DDGSR 包含一个槽线谐振器(SLR)和一个缺陷地阶跃阻抗谐振器(DSIR),运用具有四节双模缺陷地谐振器的嵌套双模缺陷地谐振器结构,并通过仿真软件优化结构参数设计并制作了GPS(1.57GHz)、DCS(1.8GHz)、WLAN(2.4GHz)、WiMAX(3. 5GHz)频段的四通带滤波器。测试结果表明,四个通带中心频率分别为1. 58/1.8/2.42/3.58GHz,3dB 带宽为8.2/5/5.4/6.7%,带内插损最小值为1.2/1.6/1.6/2.6dB。设计与测试结果良好的一致性验证了理论的准确性。     

基于Galil控制器开发的无损检测扫查器控制系统设计

<正>反应堆压力容器顶盖焊缝的完整性是保证核电站回路系统安全可靠的重要组成部分,为保证核电站的安全运行,需要定期对其进行无损检测检查。其中为了完成超声无损检测用双自由度的无损检测扫查器,本文设计制作了一套基于Galil控制器的伺服电机运动控制系统,控制系统采用“PC+Galil”硬件构架平台,以PC机为上位机,完成伺服电机的自动、点动和停止等基本功能,利用Galilsuite软件在线整定了伺服系统的PID参数,采用VisualStudio软件开发上位机人机界面,实现上位机与Galil运动控制卡之间的数据通信。     

一种基于双级支线功分／功合网络的毫米波固态功率放大器

本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内，实现34．8dBm输出功率，55dB增益的良好电性能，具有结构简单、加工简易等特点.     

基于全同弱反射光栅光纤的分布式传感研究

利用弱反射光栅低反射率的特性,提出了基于全同弱布拉格反射光栅的分布式光纤传感方案。采用光波长时域反射解调技术,进行定位和解调,实现高密集度的准分布式传感。从理论上分析了光纤光栅反射率、光栅单元间隔以及传输损耗等对传感系统复用容量的影响。结果表明,这种方法可以有效提高光栅传感系统的复用容量,并降低信号解调成本。实验验证了该方案的可行性,系统复用了4个反射率为6%的光纤布拉格光栅(FBG),实现了单点、多点测量,温度测量的分辨力达到0.12℃。     

温度梯度对激光熔覆层裂纹产生的影响

为了减少激光熔覆技术中因温度梯度大而产生的熔覆层裂纹，在激光熔覆过程中采用预热基体的方法来减小温度梯度。采用ANSYS软件建立45#钢基材上激光熔覆镍基金属粉末的多道搭接温度场有限元模型，通过热电偶测温验证模型的可靠性，利用建立的有限元模型分析熔覆层在熔覆过程中熔覆层边缘的温度梯度变化规律以及基材预热温度对熔覆层温度梯度的影响。结果表明，最大温度梯度位于熔覆层与基体结合界面的边缘，使得此处成为金属熔池凝固的极端条件，导致此处极易产生裂纹；在基材预热为200℃时，可以显著降低熔覆层凝固过程中的温度梯度，温度梯度的降低越明显，越能有效地抑制裂纹产生。通过模拟与实验的结合为实际激光熔覆制造提供了切实可行的参考依据。     

高强钢激光-MIG复合焊对接间隙下的焊缝成形机理

采用光纤激光-熔化极稀有气体保护(MIG)复合焊对不同对接间隙下的3 mm厚低合金高强钢进行焊接。在焊接速度恒定的条件下,研究了不同对接间隙下焊缝的成形过程,并与零间隙下相同工艺参数的激光-MIG复合焊的焊缝形貌进行对比。结果表明:在有对接间隙时,焊缝及其热影响区的上下宽度基本一致(呈U形),而在零间隙下,焊缝及其热影响区的宽度均呈上宽下窄(Y形)的形态。焊缝成形机理如下:在激光-MIG复合焊进行有对接间隙的焊接时,电弧等离子体的形态有三种不同的变化(与任一侧试板起弧燃弧形成的"分叉电弧"以及与两试板同时起弧燃弧形成的"十字电弧"),电弧的三种形态不断变化,形成"摆动"态;"摆动"态电弧等离子体的作用是预热和熔化工件侧壁,激光热源作用在熔池上起到加大熔深、稳定电弧和消除电弧热源导致的侧壁未熔合的作用;对接间隙下电弧热源作用的范围较大,使得母材受热更加均匀;与零间隙焊缝相比,有间隙下的焊缝组织更均匀。     

柔性银包铜基导电线路的制备与性能

针对导电银浆价格高、导电铜浆易氧化等问题,采用银包铜粉作为导电填料,聚氨酯改性丙烯酸树脂为树脂基体,通过丝网印刷在聚酰亚胺薄膜上印制导电线路,并用热固化的方式进行固化,从而获得导电性能优良的柔性银包铜基导电线路。结果表明:当银包铜粉的含量为65%(质量分数)时,制备的导电胶各项性能达到最佳值,满足丝印要求,平均膜厚为29.25μm,固化后得到的导电膜电阻率达到最低值1.06×10~(-3)Ω·cm。     

手机将会成为NAND闪存市场最大推动力

2005年,NAND闪存凭借面积小、容量大、成本低的优势在市场规模上首次超越NOR闪存,目前,NAND闪存已经被广泛应用于数码相机、MP3等需要大容量存储的产品中。美光NAND闪存产品经理BillLu表示,手机将会成为NAND闪存最大的市场推动力。他指出,目前大部分的2G手机中需要存储的数据量     

基于液晶相控阵高精度高效率光束偏转数值仿真

液晶相控阵技术通过对光束波前进行控制,实现一定视场范围内高精度、任意角度的光束偏转。研究了基于多孔干涉原理和随机并行梯度下降算法实现光束偏转的方法,并通过对这两种方法进行数值仿真,实现对远场目标的指向,重点分析对比两者的指向精度和偏转效率。提出了一种新型的光束偏转方法,这种方法能够在整个光束偏转范围内都具有较大的指向精度和偏转效率。