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采用传统的固相反应法制备了Ni0.9–0.5xCo0.3+1.5xMn1.8–xO4(Mn和Ni的摩尔比为2:1,x=0~0.7)陶瓷。并且采用XRD和SEM等手段,系统地分析了Co含量对该热敏陶瓷的相结构及显微形貌的影响。结果表明,所研究的陶瓷均为立方晶相,当x≥0.6时出现第二相CoO岩盐相。在–40~125℃的测试范围内,该陶瓷材料表现出明显的NTC特性。随着Co含量的增加,陶瓷的室温电阻率(2 275~914?·cm)及β值(3 718~3 544 K)均逐渐减小,并且出现两个拐点。其导电机理与小极化子的跳跃电导模型相吻合,并且受CoO岩盐相的影响。 相似文献
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基于低温共烧陶瓷(LTCC)集成技术,设计仿真了一种WiFi/GPS/BT三模前端模块。该模块基板里面埋置有双工器、匹配电路,而在基板表面表贴了射频开关、声表面波滤波器、低噪声放大器等器件。改进了双工器(三工器)的设计,并在双工器结构的基础上,利用高介电常数LTCC材料以及基板表面空余空间构建了三工器的第三带通滤波器支路,在不增加模块体积的情况下,得以成功实现了三工器的结构设计。整个模块的外形尺寸仅为5.0 mm×4.0 mm×1.2 mm,其中基板的厚度约为0.5 mm。仿真验证了所设计的双工器和三工器性能参数良好。 相似文献
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采用聚乙烯醇(PVA)系水基流延成型工艺制备了ZnO压敏陶瓷的水基流延膜。用粒度分析、粘度测量和动态机械热分析等方法研究了各组分对水基流延浆料性能的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了水基流延膜的微观结构和物相组成。结果表明:在浆料质量比(陶瓷粉体:去离子水:分散剂:粘结剂:增塑剂:表面活性剂)=100:84.6:1:6:5.4:3时,所制水基流延膜无缺陷且微观结构均匀;另外,该流延膜经900℃烧结后具有良好的电性能:电压梯度E1mA=112.4 V/mm,非线性系数=34.6,漏电流密度JL=0.5×10–6A/cm2。 相似文献
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用环境扫描电子显微镜(ESEM)、X射线衍射(XRD)和X射线能谱(EDXS)等研究了水基流延片式ZnO压敏电阻器的低温共烧工艺及其对微观结构和电学性能的影响规律。ESEM分析结果表明:当等静压压力为60 MPa时,Ag电极与流延膜生坯界面结合紧密,Ag电极分布连续,900℃共烧时,未出现开裂、分层,两者收缩率接近。EDXS和XRD分析结果表明:900℃共烧时,Ag在片式压敏电阻器中以单质形式存在,流延膜与Ag电极化学兼容性良好,且在共烧界面处未发现有明显的Ag离子扩散。该流延膜可以与Ag电极在900℃时实现低温共烧,用此制备的片式ZnO压敏电阻器具有良好的压敏性能:压敏电压V1mA=6.1 V,非线性系数α=28.1,漏电流IL=0.15μA。 相似文献
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高四方性的 BaTiO 3 超细粉体是下一代多层陶瓷电容器的关键材料。该文探究了砂磨介质尺寸和原料 TiO 2 晶相对反应物活性、产物介电性能的影响,并利用砂磨固相法成功合成了高四方性 BaTiO 3超细粉体。分析场发射扫描电子显微镜照片和 X 射线光电子能谱发现,细砂磨介质粉碎原料的效率更高,机械活化作用更强。Raman 光谱和 X 射线衍射图谱显示,在高能砂磨过程中,TiO 2 由锐钛矿相先后转变为 TiO 2 -II 相、金红石相。分析微商热重曲线和 X 射线衍射,结果表明,砂磨介质更能有效降低反应温度和抑制 Ba 2 TiO 4 的生成。此外,高分辨透射电子显微镜图像揭示了 BaTiO 3 的形成是 Ba 2+向 TiO 2 晶格扩散的过程。该文相关实验结果表明,利用直径为 0.1 mm 的 ZrO 2 磨球对锐钛矿相 TiO 2和 BaCO 3 混合物砂磨 4 h,并在 1 100 ℃ 煅烧 3 h 后,获得了平均粒径为 186 nm、四方性为 1.009 2且分散性良好的 BaTiO 3 粉体,该粉体在 1 250 ℃ 烧结的陶瓷相对密度为 96.11%,居里点(137.8 ℃)的介电常数峰值为 8 677。 相似文献
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玻璃表面由于反射作用会使光能损失.为了减少玻璃表面的反射损失,可以通过在表面镀增透膜来解决.研究了多层增透膜对铒硼硅酸盐玻璃可见光透过率的影响.在理论上比较了不同膜系结构(层数不同)的增透膜对铒硼硅酸盐玻璃的增透效果.采用了六层膜的设计,并对镀膜前后玻璃的反射率和透过率进行了测试,玻璃在可见光区的430nm波段到800m波段的平均反射率从原来的7.5%左右下降到了1%左右,其吸收光谱曲线的最高透过率从未镀膜前的80%左右提高到了97%左右.同时,镀膜后的铒硼硅酸盐玻璃在0.53μm处的透过率仍然保持在0.01%(光密度D0.53=4),而可见光透过率达到了65%,比镀膜前提高了10%左右,玻璃的可视性得到了明显的改善. 相似文献
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