制绒添加剂在单晶硅制绒的作用

新型无醇添加剂碱溶液制绒可使硅表面形成1～3μm的金字塔结构;通过对制绒过程研究,硅表面损伤层在250～500s被腐蚀掉,同时金字塔结构铺满硅表面,从500 s延长至到1000s时,金字塔尺寸由1μm增至2μm以上,1250s后金字塔尺寸达到平衡。不同添加剂配方可影响单晶硅表面的金字塔尺寸和均匀性,但对表面反射率影响不大。     

氧对多晶硅太阳电池磷铝吸杂效应的影响

对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法 (QSSPCD) 和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和Ⅰ-Ⅴ曲线.发现3种吸杂方式对于多晶硅片的少子寿命和电池效率都有提高,而磷铝联合吸杂的效果最佳;实验发现[Oi]＜10ppma的低氧样品有利于促进吸杂.     

φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究

利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场. 研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,固液界面趋于平坦,有利于结晶潜热的散发和单晶径向电阻率的均匀性. 研究表明改进导流系统能提高结晶潜热散发速率,有利于提高晶体拉速.     

高效晶硅太阳电池的发展与抑制光衰的研究进展

晶硅太阳电池在光伏发电中占有80％以上的市场份额,其科技进步主导着光伏发电的走向.随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高,其光衰也随之提高,成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈.研究发现,硅中的杂质补偿度和B-O复合体均能造成电池的“光衰”.利用掺镓硅单晶替代掺硼硅单晶并严格控制硅中的杂质补偿度能够大大抑制光衰,其机理和工艺的研究对高效晶硅电池的发展意义重大.     

CZ硅片热处理中若干问题探讨

本文讨论了集成电路用直拉单晶硅片热处理时的几个问题.提出了用于MOS电路和双极型电路硅片的内吸除处理工艺及原始硅材料的质量要求.     

SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构

采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。     

用自适应搜索算法拟合太阳电池I-V曲线

分析了序贯数论优化算法(SNTO)用于太阳电池I-V曲线拟合时的不足之处，结合遗传算法中自适应搜索的思想，用自适应搜索算法改进了SNTO算法．该算法的基本过程是：以太阳电池等效电路的数学模型为基础建立目标函数；在拟合时，利用自适应搜索算法来随机地确定收缩比，即用第t次拟合中的计算结果来确定第t 1次的最优参数可取值范围，使各步中目标函数的参数空间构成一个最优决策序列．拟合结果表明，该算法比直接采用序贯数论优化算法(SNTO)具有更少的计算量，更高的收敛性和鲁棒性。     

大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中施主及缺陷能级的研究

用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形成和退火行为进行了研究。发现由于大剂量中子辐照而产生的浅施主是与氧、碳及氧的微沉淀有关的硅-氧-碳络合物。并对大剂量辐照所导致的各种深能级电子陷阱的结构进行了讨论。