全文获取类型
收费全文 | 87篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 70篇 |
专业分类
综合类 | 1篇 |
化学工业 | 1篇 |
机械仪表 | 1篇 |
建筑科学 | 1篇 |
无线电 | 92篇 |
冶金工业 | 1篇 |
原子能技术 | 62篇 |
自动化技术 | 1篇 |
出版年
2018年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 14篇 |
2009年 | 10篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 12篇 |
2005年 | 13篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有160条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Co γ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(Ib)明显增大,而集电极电流(Ic)基本不变,表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因.退火结果表现为电流增益(β=Ic/Ib)继续衰降,表明SiGe HBT具有"后损伤"效应.对其机理进行了探讨,结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的. 相似文献
72.
73.
含氮MOS栅介质中氮的结键模式 总被引:1,自引:0,他引:1
借助于 XPS分析技术 ,首次研究了 MOS结构栅 Si O2 中引入 N后的结键模式。结果表明 ,N主要以Si-N而非 Si-O-N结键形式存在于栅 Si O2 中。含 N MOS介质抗辐射 /热载流子损伤能力得以提高的根本原因是 Si-N结键替换部分对辐射敏感的 Si-O应力键 相似文献
74.
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 总被引:1,自引:0,他引:1
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 相似文献
75.
76.
77.
78.
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 总被引:2,自引:1,他引:1
对几种不同类型(TTL,CMOS,JFETBi,MOSBi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的“后损伤”现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区 相似文献
79.
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 总被引:2,自引:2,他引:0
通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性. 研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的. 进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用. 相似文献
80.