注F+NMOSFET的电离辐照与退火特性

比较了CC4007电路栅介质中注F′和未注F′的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F′的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能。表现为在同样辐照偏置下注F′器件比未注F′器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定。     

CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究

预辐照筛选成功的关键取决于预辐照后器件损伤的可恢复性及再次辐照时器件损伤的可重复性.通过对CMOS器件进行大量不同条件下的60Co γ总剂量辐照实验和退火实验,探讨了能使器件预辐照后的损伤得到尽可能大地恢复的辐照、特别是退火条件,并通过反复达4次的CC4007器件"辐照-退火-辐照"试验,研究了CMOS器件退火后再次辐照时电参数变化的可重复性.     

Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布

对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性.     

双极运算放大器辐射损伤效应研究

本文研究了不同制造商的同型号双极运算放大器的辐射效应和室温退火行为,发现同型号产品的辐射效应有很大差异.我们分析了此类辐射效应差异的主要原因,对双极运算放大器高低剂量率下的辐射效应作了解释.计算了它们的损伤增强因子和退火因子,结果表明,同种型号运放电路的损伤增强因子间的最大差异可达约8倍.     

PMOS剂量计的稳定性研究

在室温条件下 ,研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对 PMOS剂量计辐照剂量记录 -阈电压的稳定性影响 ,观察了辐照后阈电压在不同栅偏条件下的变化趋势和幅度。分析认为慢界面陷阱中电荷的“充放电”是造成不稳定的首要原因。结果表明 ,该种由慢界面态造成的阈电压变化在每次开机测量下具有重复性。讨论了在 PMOS剂量计中提高稳定性的办法。     

10位双极数模转换器的电离辐射效应

研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明:D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;而在低剂量率辐照情况下,各参数变化显著,超出器件允许范围,器件功能失效。因此,D/A转换器表现出明显的低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)。零偏时,D/A转换器功能参数损伤变化更加严重。最后,结合边缘电场效应和空间电荷模型对这种不同偏置和剂量率条件下的损伤机理进行了初步的探讨。     

双极晶体管的低剂量率电离辐射效应

通过对 npn 管和 pnp 管进行不同剂量率的电离辐射实验,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应.结果表明,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度,致使低剂量率下过量基极电流明显增大.而辐照后npn管比pnp管具有更大的有效表面复合面积,致使前者比后者有更大的表面复合电流,从而导致了在各种剂量率辐照下,npn管比pnp管对电离辐射都更为敏感.     

CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统

为了从内部研究ＣＭＯＳ运算放大器的电离辐射损伤机理,用由计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤测试系统测量运放电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化,观察电路内部各功能单元电路和ＭＯＳＦＥＴ的辐照损伤特性;该系统能将不同功能单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行测试。     

MOS电容的衬底热电子注入响应特性

为研究抗热载子损伤的加固技术,对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底的热电子高场注入（ＳＨＥ）,并利用高频Ｃ－Ｖ及准静态Ｃ－Ｖ分析技术,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了ＭＯＳ结构热载子损伤的特性和机理。     

MOSFET的热载流子损伤及其退火

对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温(100°C)下的退火特性进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载流子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。