稳健的基于参数化协方差矩阵估计的空时自适应处理方法

参数化协方差矩阵估计（Parametric Covariance Matrix Estimation,PCE）方法利用雷达系统参数估计杂波协方差矩阵（Clutter Covariance Matrix,CCM）,显著提升非均匀环境下空时自适应处理（Space-Time Adaptive Processing,STAP）的性能;但是在系统参数和杂波分布存在误差情况下,性能下降严重.本文提出一种稳健的基于PCE方法的STAP杂波抑制方法.首先利用稀疏恢复方法与Radon变换估计杂波分布,然后提出一种归一化广义内积统计量修正杂波的分布,最后利用PCE方法估计CCM并进行STAP杂波抑制.通过分析舰载高频地波雷达仿真和实测数据处理结果表明：所提方法的稳健性大幅提升,相比稀疏恢复STAP方法和前后向空时平滑STAP方法滤波器凹口更加准确且更深,在有效抑制杂波的同时更利于慢速目标的检测.     

非平稳信号的快速傅里叶变换与小波分析的比较

在对通信系统信号进行分析时,非平稳信号是经常遇到的。采用快速傅里叶变换和小波变换对通信系统信号进行分析,比较了分析结果,证明小波分析更适合于突发信号的分析。最后给出了Matlab实验结果。     

基于虚拟分割机制的多服务交换路由器的研究

本文提出了一处基于虚拟分割机制的可编程多服务器由器实现结构：PVSMR，并对它的三个层面的主要构成及其关键技术进行了深入研究。PVSMR基于一种有效而灵活的资源虚拟分割算法，它能够提供与多类应用相适应的、灵活的报文处理和转发控制能力。     

随机断续高频雷达波形设计和处理

本文综合分析了几种典型高频地波超视距雷达波形的特点,针对这些波形在高频段电磁干扰严重条件下可用连续频带较窄的问题,提出了一种依据外部电磁环境监测结果来截断干扰频段的波形.这种波形能够有效地利用不连续频段,从而提高雷达的有效带宽和抗干扰能力.针对波形频谱截断后引起的距离旁瓣过高问题,本文采用一种改进的自适应目标回波重建算法来处理,达到较好的结果.     

籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响

空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。     

基于三相幅度测量的相控阵天线快速校准方法

提出了一种基于三相幅度测量的相控阵天线快速校准方法。该方法将天线阵列进行分组,利用每种分组在三种配相下的阵面合成场幅度测量值,可解算出各个天线单元的初始幅相值。该方法仅需幅度测量,避免了相位测量误差影响单元幅相值的计算精度,而且所需幅度测量次数仅为(2N+1)次,可显著提高校准时效性。另外,利用分组思想,同时改变多个单元相位,使总辐射场的幅度变化显著,提升校准准确性。仿真结果表明:校准后相位均方根误差为2.2°,幅度均方根误差为0.2 dB。     

空空导弹捷联惯导系统总体设计与仿真研究

探讨了空空导弹捷联惯导系统的总体设计技术,指出了系统设计时应考虑的几个主要问题,从总体设计的角度对捷联惯导系统的性能仿真环境和算法进行了分析和研究,并建立了系统仿真的模型框图,在此基础上进行了系统仿真和算法优化.     

龙伯透镜天线及其应用

伯透镜天线（Luneberg Lens）由R．K．龙伯（R. K．Luneberg）于1944年提出．距今已有超过60年的历史。经过工程技术人员的不断更新和改良，现在这项电介质透镜天线技术被广泛用来制造低成本、高增益和易于操作的微波天线，主要应用于移动接收站对卫星的跟踪等方面。     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

光电经纬仪车载平台变形测量技术研究

采用一种高精度非接触测量系统对光电经纬仪车载平台变形进行实时测量,利用视频 判读技术对CCD视频信号进行接收和处理,采用图像采集和图像处理同时进行的工作方式,对图像进行实时处理和判读,得出动态脱靶量,进而计算出车载平台的变形量,这为进一步研究车载平台技术打下理论和实践基础。