1750mm热轧精轧活套控制高度技术研究

在热连轧精轧轧制过程中,活套高度的控制直接影响了轧制的稳定性和宽度精度,带钢控制从拉窄本身控制来讲,活套角度越高,张力控制越小,越不容易产生拉窄。但在实际生产过程中,由于活套角度较高,张力控制较小,就容易产生跑偏及废钢。主要介绍为兼顾稳定性影响(轧破、甩尾)及宽度控制而采取措施。。     

可拓学研究中的若干问题

根据目前可拓学研究的进展 ,分析可拓论研究中的几个本质性问题和可拓学研究必须注意的若干问题 ,并列出了目前可拓学研究的主要方向 .     

花式线生产中饰纱控制技术的开发应用

(1 )问题的提出空心锭的应用使得传统的花式线生产工序合二为一 ,芯 ,饰、固纱同时并捻 ,一次成形生产花式线 ,明显地提高了工效。因此空心锭花式捻线机被广泛应用于超喂类 (圈圈线、波浪线等 )、花式线的生产 ,但该类设备用于生产控制类花式线特别是结子线时效果则不理想 ,究其原因主要是因为空心锭花式捻线机现有技术是通过控制芯纱运动规律来生产控制类花式线的 ,在生产结子线需要形成结子时 ,是控制芯纱使其暂停输出运动 ,正常输出的饰纱便会在芯纱上形成一个结子 ,问题在于空心锭是连续旋转的 ,其上的固纱有时也会在饰芯线上包缠出一个…     

基于三层B/S和C/S结构考勤管理系统的设计与实现

三层结构是目前应用程序理想的开发模型,本文以“考勤管理系统”为例,详细论述了采用三层B／S和C／S相结合的结构开发分布式应用程序的方法。     

基于FPGA的sinc插值算法的研究和实现

在合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)距离向数据预处理模块中,sinc插值是经常用到的一种插值算法.具体阐述了sinc插值的优点及原理、用现场可编程门阵列(FPGA)实现sinc插值算法的详细设计流程,并给出了系统调试方案以及实验结果.实验表明当输入数据频率变化时,所设计模块均能够可靠稳定的工作.该设计方案已成功应用到某合成孔径雷达距离向数据预处理模块中.     

行间转移型面阵CCD成像系统设计

采用行间转移型面阵CCD KAI-1020作为图像传感器,以现场可编程门阵列（FPGA）为核心控制器,设计并实现了一个完整的成像系统。FPGA产生驱动时序、控制CCD上电顺序、调节曝光时间,并实现数据缓存。CCD模拟视频信号经过预处理,通过同轴电缆传输到CCD专用视频处理器进行相关双采样和模数转换,以10位像素深度输出到FPGA,数字视频信号经过差分芯片驱动以低压差分信号（LVDS）格式输出到数据采集卡。集成化视频处理电路提高了系统的信噪比,改善了成像质量。实验表明,CCD成像系统工作稳定可靠,像素读出时钟为10 MHz时,帧频为10帧/s。设计的CCD成像系统性能好、可靠性高、实现周期短,具有很强的可扩展性。     

基于分布式光纤监测技术的板桩码头试验研究

板桩码头桩体结构受力变形状态是评价其安全运行的重要指标。基于分布式光纤模型试验,提出了一种新型桩体受力和变形分布式监测技术,并成功应用于板桩码头钢筋混凝土灌注桩原型试验研究中。结果表明该方法能够准确反映港池开挖过程中板桩码头桩体结构变形、弯矩和受力等分布变化规律,并能及时对板桩码头的运行及施工情况进行有效监测评估,可以为板桩码头的持续稳定运行提供安全保障及施工指导。该监测技术能够克服传统点式监测方法分辨率及准确度不足的缺点,实现桩长范围内全深度及施工过程全周期的实时监测,具有一定的工程实用价值。     

门楼水库洪水预报及修正方法

由于流域下垫面条件、人类活动和水利工程影响,使得概念性流域水文模型更加难于全面地描述流域的产汇流特性,导致预报结果误差较大。研究以门楼水库为背景,分析流域入库洪水组成、水利工程分布、气候及下垫面等水文特点,采用大伙房模型(DHF)进行门楼水库以上流域的洪水预报方案研究,进而修正水库的入库洪水过程。研究结果表明,修正后的洪水预报结果精度比修正前有较大提高,可以为水库防洪调度决策提供依据。     

碲镉汞离子注入温度研究

作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线,探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明,较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面,可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度,从而提高工艺过程的成品率。同时,较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用,提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。     

硅基碲镉汞红外探测器表面钝化研究

碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料的表面钝化是红外探测器制备中的关键工艺之一。高性能MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面。因此,探究MCT表面钝化技术具有重要意义。研究了MCT的分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)原位钝化与磁控溅射钝化两种钝化技术。结果表明,MBE原位钝化膜层的致密性较好,钝化层表面的缺陷孔洞较小,钝化层与MCT的晶格匹配度较好,器件流片的电流-电压(I-V)特性要优于磁控溅射正常钝化。