MN150412单片机在微波炉智能控制上的应用

介绍了ＭＮ１５０４１２这一非常适于用在家用电器智能化的单片机在微波炉智能化上的应用。     

二极管方程新的解析近似解

提出了二极管方程一种新的解析近似解。使用精确的一阶及二阶微分和改进的牛顿-拉夫森方法,推导出一个简洁的二极管方程解析近似解。较之先前的二极管方程解法和近似,该解析近似解显著提高了二极管电流计算的精度和效率。同时,用户在将MOSFET模型如ACM、EKV和BSIM5中的二极管模型和反型层电荷模型实现到诸如SPICE等电路仿真模拟器中时,该解析近似解提供了高精度和高效率的计算方法。     

非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型

通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型. 通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式. 该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到. 结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数. 对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.     

姜黄素对宫内发育迟缓断奶仔猪肠道抗氧化功能的影响

目的：探讨姜黄素对宫内发育迟缓（intrauterine growth retardation,IUGR）断奶仔猪肠道抗氧化功能的影响。方法：选取16 头正常初生体质量（normal birth mass,NBM）仔猪和16 头IUGR仔猪,公母各半。26 日龄断奶,分别饲喂基础日粮或姜黄素日粮（基础日粮＋400 mg/kg姜黄素）,分为N组（NBM仔猪＋基础日粮）、NC组（NBM仔猪＋姜黄素日粮）、I组（IUGR仔猪＋基础日粮）和IC组（IUGR仔猪＋姜黄素日粮）,每组8 头。饲养至50 日龄屠宰取样,进行抗氧化指标的检测。结果：1）日粮中添加姜黄素后,与I组相比,IC组仔猪空肠蛋白质羰基（protein carbonyl,PC）、8-羟化脱氧鸟苷的含量和回肠丙二醛、PC的含量显著降低（P＜0.05）;2）与I组相比,IC组仔猪空肠总抗氧化能力、过氧化氢酶（catalase,CAT）活力显著升高（P＜0.05）,谷胱甘肽含量显著增多（P＜0.05）;回肠CAT活力显著升高（P＜0.05）,过氧化氢（H2O2）含量显著降低（P＜0.05）;3）与I组相比,IC组仔猪空肠核因子E2相关因子2（nuclear factor- erythroid 2-related factor 2,Nrf2）、CAT、超氧化物歧化酶、谷胱甘肽硫转移酶（glutathione S-transferase,GST）和NAD(P)H:醌氧化还原酶（NAD(P)H : quinone oxidoreductase l,NQO1）基因的表达显著升高（P＜0.05）;回肠Nrf2、GST、NQO1和硫氧还蛋白还原酶基因的表达显著升高（P＜0.05）。结论：向日粮中添加400 mg/kg姜黄素对缓解IUGR诱导的仔猪肠道氧化应激、提高肠道抗氧化功能有一定作用。     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的25Gb/s宽带可变增益放大器

介绍了一种基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的,可应用于高速通信的25 Gb/s可变增益放大器(VGA).该放大器由核心电路、输出缓冲器和偏置电路组成,核心电路采用改进型Gilbert结构,增大了电路的增益动态范围;同时采用电感峰化技术克服大寄生电容来实现宽带特性.后仿真结果表明,该可变增益放大器的最大增益为20.15 dB,-3 dB带宽(BW)为26.8 GHz,可支持高达25 Gb/s的数据速率,在3.3 V电源电压下的功耗为26.4 mW,芯片大小为1 120 μm×1 167 μm.     

数字存储示波器在静电放电试验中的选用

本文介绍了数字存储示波器及其带宽和采样率方面的知识,分析了数字存储示波器对静电放电试验中上升时间测量的影响,提出了具体的解决方法,对其它领域快速单次信号的测量有一定的指导意义.     

抚顺电话机四成不合格

辽宁省抚顺市技术监督局日前对市场上销售的电话机进行了质量抽查,抽查结果表明有40%产品不合格。     

由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性.     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.