正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱

报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致     

栅控二极管正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究 .通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布 ,得出了相应的 P+ P-N+ 栅控二极管的正向 R- G电流的变化 .同时 ,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化 ,分析了这种转化对 R- G电流大小和分布的影响     

正向栅控二极管监测F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱

报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSFET栅控二极管结构．对于逐渐上升的累积应力时间,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的R-G电流峰值．根据SRH理论的相关公式,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加,指数为0.4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致．     

基于PLC的空压机冗余控制系统设计

虽然空压机一般都自带控制系统,但是当多台空压机并网运行时,则需要额外的控制器做协调.本文设计了以嵌入式触摸屏上位机和PLC为核心建立起来的7台空压机PLC冗余联控系统,从控制系统结构设计方面进行了详细的分析和论证;论述了空压机的自动联控运行的PLC程序设计方法和控制流程;实现了PLC的电源冗余、CPU冗余、总线冗余及与上位机的工业以太网冗余和I/O模块的热拔插.与传统空压机控制系统相比,有效降低了成本,并提高了系统的可靠性.     

VDMOS均匀掺杂外延区优化设计的简单理论

在高压ＶＤＭＯＳ器件中,保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ,Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析,首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数,击穿电压变化的简捷普适关系。     

6H-SiC单极功率器件性能的温度关系

基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式 .理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致 (误差小于 10 % ) ,验证了理论模型的适用性     

有源阵列天线的系统噪声

有源阵列天线系统的噪声是有源相控阵雷达、通讯等系统噪声的主要成分,本文从微波网络理论入手,结合统计理论对有源阵列天线的噪声温度进行理论分析,为有源阵列天线系统噪声的分析、设计和测试提供了完整的数学模型和方法.     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

一种2.5Gb/s CMOS宽动态范围光接收机模拟前端电路

基于55nm CMOS工艺,设计了一种具有宽动态范围的2.5Gb/s光接收机模拟前端电路。作为光接收机的输入级电路,为了获得低噪声和高灵敏度性能,跨阻放大器(TIA)基于三级反相器级联结构,同时采用双自动增益控制(DAGC)电路来扩大输入信号的动态范围。为了提高增益,引入后置放大器,包括电平转换电路和三级差分放大电路,同时利用电容简并的方法来进一步拓展带宽,最后进行缓冲器输出。测试结果表明,在误码率为10-12的情况下,光接收机的输入灵敏度为-26dBm,过载光功率为3dBm,动态范围达到29dBm。光接收机在3.3V供电电压下,电流功耗为36mA,整体芯片面积为1176μm×985μm。     

电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论

通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析 ,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论 :对于电导调制功率器件用的各种穿通结构 ,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分割长度 ,即穿通因数 F等于4,就可使外延基区的厚度为最小 .同时 ,该耐压基区的击穿电压为最大 .运用该理论的结果 ,得出了此类应用的基区优化设计公式 ,并将计算结果与一些文献的设计值进行了比较 ,纠正了先前计算的不准确性 .