AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究

实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。     

AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性

在考虑AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了AlGaN/GaN HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响.用准二维物理模型计算了AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性,给出了相应的饱和电压和阈值电压,并对计算结果和AlGaN/GaN HEMT器件的结构优化进行了分析.     

基于MEMS压力传感器的外置式数字胎压监测系统

轮胎压力监测报警系统(Tire Pressure Monitoring System)(TPMS)是汽车安全领域重要电子装置,近年来已开始获得广泛应用,但传统的TPMS产品多为内置式,安装在轮胎内,安装和维护时需要拆卸轮胎造成很大不便,同时轮胎里的金属轮辋对位于胎内的压力传感器和无线发射装置有很强的屏蔽作用,信号衰竭很快,要保证信号传输到位于驾驶室内的接收器,必须提高发射功率,从而大大缩短发射器的电池使用寿命.针对这些技术问题,提出了一种新型外置直接式数字胎压监测系统,它的胎压监测节点核心器件MCU选用Infineon的专用压力处理器芯片SP30,该芯片内置MEMS压力传感器可通过外连气门芯直接测量胎内气压,再通过无线方式与上位接收器进行无障碍无线传输通信, 避免了信号屏蔽, 延长了电池和产品的使用寿命以及安装成本.给出了新型外置直接式TPMS产品的具体硬件设计、软件流程和通信协议.测试表明该系统的无线信号传输可靠、抗干扰能力强、轮胎位置识别准确、反应灵敏、安装与维护方便及组态灵活等特点、有着广泛的市场应用前景.     

纳米尺度双栅MOS器件反型层电荷的集约建模

建立了双栅MOS器件反型层积分电荷Qi的集约模型.该模型考虑了反型层载流子的量子限制效应,使其适用于纳米尺度的器件应用.基于以前关于Ge的研究,通过建立关于Qi的表面势表达式,可得到一个隐含Qi的方程,从而求得Qi的值.将该模型计算结果与目前已发表的模型计算结果以及自洽求解一维泊松方程和薛定锷方程的数值模拟程序Schred的模拟结果进行了比较.结果表明,该模型在较大的硅层厚度变化范围内均与数值模拟程序的计算结果吻合得很好,显示出其相对与目前发表的其他模型的优越性.     

室温下Si/Si1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟

采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合.     

一种应用于无线局域网具有3.01-3.82 GHz频率范围和6.29%调谐增益变化的CMOS LC压控振荡器

A wideband low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator （VCO） with low VCO gain （Kvco） vari- ation for WLAN fractional-N frequency synthesizer application is proposed and designed on a 0.13-μm CMOS process. In order to achieve a low Kvco variation, an extra switched varactor array was added to the LC tank with the conventional switched capacitor array. Based on the proposed switched varactor array compensation technique, the measured Kvco is 43 MHz/V with only 6.29% variation across the entire tuning range. The proposed VCO provides a tuning range of 23.7% from 3.01 to 3.82 GHz, while consuming 9 mA of quiescent current from a 2.3 V supply. The VCO shows a low phase noise of-121.94 dBc/Hz at 1 MHz offset, from the 3.6 GHz carrier.     

GaAs数字单片电路的计算机模拟

本文在开发并确立通用电路分析程序SPICE3A7的GaAs MESFET模型及相应模型参数提取方法的基础上,对GaAs MESFET器件及相关BFL.单元电路进行了直流和瞬态的计算机模拟和部分优化,取得了较好结果;并对研制中的分频器电路设计进行了计算机研究.     

AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性

在考虑Al Ga N / Ga N异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了Al Ga N / Ga N HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响.用准二维物理模型计算了Al Ga N/ Ga N HEMT器件的输出特性,给出了相应的饱和电压和阈值电压,并对计算结果和Al Ga N/ Ga N HEMT器件的结构优化进行了分析.     

略说紫砂壶

宜兴紫砂以其优质的紫砂泥料、实用性、工艺性,闻名中外。泥料精心选取、制壶者技艺精湛,从而历史上不断涌现出各种紫砂精品,为后人所叹服。     

一种新的基于晶体管级的电路划分算法

随着VLSI电路规模的不断增加,为实现电路并行仿真所做的电路划分算法的质量显得日益重要。鉴于现有算法未能同时保证均衡的分块间规模和最少的互联信号数目,该文提出了一种新的基于晶体管级的电路划分算法。该算法首先通过一个聚合过程对电路网表进行分割,得到一个比较好的初始分割;然后通过平衡分块间规模差异和进一步优化分块间互连线的数目,最终得到理想的电路划分结果。应用该电路划分算法对工业界的实际电路网表进行测试,结果表明：相比于目前普遍使用的COPART算法,该算法在分块间规模的均衡性方面平均改善了25%,在分块间的互联信号数目方面平均减少了18%。