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概况1970年贝尔实验室首先研究出了室温下能连续工作的(GaAl)As/GaAs双异质结(DH)激光器。自那以来,半导体激光器得到十分深入、广泛的研究,一些应用研究也相应地开展起来。随着应用研究的深入发展,半导体激光器的研究分成两大方向进行,依波长划分,可分为长波长和短波长激光器。长波长(1~1.6微米)范围内,光在光纤中的传输损耗小,色散小,在光纤通讯中具有独一无二的优越性,因而近年来发展迅速。而短波长激光器中, 相似文献
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1.55μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器 总被引:1,自引:2,他引:1
介绍了一种Si基热光Fabry Perot (F P)腔可调谐滤波器.F P腔由电子束蒸发的非晶硅构成.利用非晶硅的热光效应,通过对Si腔加热,改变F P腔的折射率,从而引起透射峰位的红移.该原型器件调谐范围为1 2nm ,透射峰的FWHM (峰值半高宽)为9nm ,加热效率约为0 1K/mW .精确控制DBR(分布式Bragg反射镜)生长获得高反射率镜面是减小带宽的有效途径;通过改进加热器所处位置及增强散热能力,有望进一步提高加热效率 相似文献
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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。 相似文献