全文获取类型
收费全文 | 90篇 |
免费 | 2篇 |
国内免费 | 130篇 |
专业分类
化学工业 | 1篇 |
无线电 | 211篇 |
一般工业技术 | 10篇 |
出版年
2018年 | 2篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 1篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 1篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 19篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 16篇 |
2003年 | 21篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 24篇 |
2000年 | 35篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 7篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有222条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为10-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃.为了降低生长温度,文中采用了不用液氮冷却的模式.腔内生长气压约为10-2Pa,增加3个数量级,并且将牛长温度降到了485℃,远低于传统的牛长温度.DCXRD测试和TEM图像表明,生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超品格具有良好的晶格质量.结果证明,在LJHV/CVD系统中,这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法. 相似文献
92.
93.
94.
96.
Si基异质结构发光的研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了Si 基异质结构发光研究的现状。介绍了Si 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性,描述了掺Er- Si 的发光、Si 基量子结构( 量子阱、量子点) 的光发射,重点研究SiGe/Si 异质结构的发光性质。同时还对多孔Si 发光、Si 基发光二极管(LED) 与Si 双极晶体管(BJT) 集成、Si 基上垂直腔面发射激光器(VCSEL) 与微透镜的混合集成作了简要的介绍。 相似文献
97.
智能剥离工艺的热动力学模型 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果,氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间,退火温度和注氢剂量的函数,氢气泡的临地径可根据Griffith能量平衡条件来获得,根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度所需要的剥离时间。 相似文献
98.
SOI波导弯曲损耗改善方法的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Sillcon-on—insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时通过实验获得了验证.对R=16mm、横向位移为70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗. 相似文献
99.
100.