基于声音信号的“信号与系统”教学方法研究

在“信号与系统”课程教学中,笔者研究并实践了一种基于声音信号的直观化教学方法.我们将多种实际声音信号引入课堂,对抽象原理用听觉和视觉两种感观形式直观展示,让学生直觉认识和理解信号与系统原理,大大改善了学生的学习效果;我们通过大量以声音信号为题材的工程实践,锻炼了学生运用理论知识解决实际问题的能力.     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

Influence of window layer thickness on double layer antireflection coating for triple junction solar cells

The optimization of a SiO₂/TiO₂,SiO₂/ZnS double layer antireflection coating（ARC）on Ga_0.5In_0.5P/In_0.02Ga_0.98As/Ge solar cells for terrestrial application is discussed.The Al_0.5In_0.5P window layer thickness is also taken into consideration.It is shown that the optimal parameters of double layer ARC vary with the thickness of the window layer.     

Study of metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser materials grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy

The GaAs based InGaAs metamorphic structures and their growth by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated. The controlling of the source temperature is improved to realize the linearly graded InGaAs metamorphic structure precisely. The threading dislocations are reduced. We also optimize the growth and annealing parameters of the InGaAs quantum well (QW). The 1.3-μm GaAs based metamorphic InGaAs QW is completed. A 1.3-μm GaAs based metamorphic laser is reported.     

隔行色度信号及其应用研究

本文对隔行色度信号在ＰＡＬＤ制解码电路中的应用作了详细分析，表明隔行色度信号在同等条件下，具有相位分辨力高于其它测试信号的特点，可以在解码电路物输出端，直接调整延时分离电路，有益于解码电路的测量和调整。     

鄂尔多斯盆地杭锦旗地区上古生界天然气成因及来源

鄂尔多斯盆地杭锦旗地区上古生界天然气化学组成、稳定碳氢同位素等综合分析结果表明,该区天然气以烃类气体为主,干燥系数介于0.80~0.94,表现为湿气特征;δ¹³C₁和δ¹³C₂值分别为-36.2‰~-31.7‰和-27.8‰~-23.3‰,δD_CH4值为-199‰~-172‰,烷烃气碳、氢同位素总体呈现正序特征,属于有机成因气。天然气成因鉴别和气-源对比表明,该区上古生界天然气主体属于煤成气,来自太原组-山西组煤系烃源岩,但泊尔江海子断裂南北两侧天然气的来源存在差异性,南侧十里加汗区带天然气来自原地的太原组-山西组高成熟烃源岩;而北侧什股壕区带天然气则主要由断裂以南十里加汗等地区运移而来,且后期遭受一定程度的破坏而发生逸散。     

可用于弱光探测器的量子线研究进展

以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度.文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果.采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了OaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构.     

北部湾盆地涠西地区W4井油气成藏主控因素分析

北部湾盆地涠西地区于W4井渐新统涠洲组三段获高产工业油气流,实现了北部湾盆地新区油气勘探突破。通过对W4井古近系原油及相关钻井岩心样品实验测试结果的研究,结合区内勘探新资料与邻区原油测试成果,重点开展了油源对比与成藏主控因素分析。研究认为,涠西地区W4井涠洲组三段油气藏属于断块型油气藏,其原油来自于母质类型较好的流沙港组成熟烃源岩,油气成藏受控于断层侧向封堵与盖层条件2个关键因素。      

液晶投影电视技术的研究

本文介绍了国外液晶投影电视的发展动态,结合对典型液晶彩色投影机特性的介绍,剖析了液晶投影电视机的结构和原理,并进一步探讨了研究液晶投影电视技术的有关技术要点,阐述了在我国进行这项技术研究的有关问题。