双微通道板紫外像增强器工作特性研究

为了研究双微通道板(MCP)对紫外像增强器辐射增益的影响,本文利用南京理工大学制造的宽光谱像管增益测试仪,对单MCP和双MCP紫外像增强器的辐射增益分别进行了测试分析.通过改变阴极电压、MCP输出端电压这两个参数,研究了紫外像增强器辐射增益的变化情况.结果表明,相同工作状态下,双MCP的辐射增益是单MCP的100倍,这一现象与日本Hamamatsu公司报道的数据十分吻合.单MCP紫外像增强器,阴极饱和电压在300 V附近,而双MCP紫外像增强器,阴极电压在300 V附近未见饱和现象出现.单MCP和双MCP紫外像增强器中MCP的工作电压分别为800和1100 V.此研究有助于探讨双MCP紫外像增强器的合适工作参数,对提高紫外辐射探测成像技术具有十分重要的意义.     

GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析

GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成.为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析.结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化;GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3∶2,富Ga;而G aAlAs层中的Ga、Al和As含量比约为1∶1∶2,Ga略少于Al,但稍大于Ga0.42Al0.58As的比例.Ar离子枪采用3kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAlAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAlAs的溅射产额为2.90.     

NEAGaN光电阴极第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构GaN结构优化的基础上,计算了GaN(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的GaN－Cs电偶极子层,降低了原本的GaN表面势垒,形成更加有利于电子逸出的外光电发射效应特性。接着图示吸附Cs、O后的电子结构,指出吸附原子和衬底之间的键合。六方结构GaN材料的光学性质通过Kramers-Kronig 关系得出。根据GaN的介电函数谱,得出了254nm光波长下以GaN为激活层材料的反射式光电阴极在不同少子扩散长度下的内量子效率。计算结果表明六方结构GaN(0001)A面是可见光盲光电阴极的优良发射表面,且254 nm处的量子效率可达到60%,远大于碱金属卤化物紫外光电阴极。     

均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究

根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正,建立了三偶极子模型。新模型认为,光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成,第一偶极层由GaAs（Zn）-Cs+偶极子组成,第二偶极层由Cs2O偶极子组成,第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成,第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果,确立了势垒中分段均匀的电势分布,计算得出势垒宽度为1.65 nm,有效电子亲和势为-0.44 eV。新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义。     

双微通道板紫外像增强器工作特性研究北大核心CSCD

为了研究双微通道板(MCP)对紫外像增强器辐射增益的影响,本文利用南京理工大学制造的宽光谱像管增益测试仪,对单MCP和双MCP紫外像增强器的辐射增益分别进行了测试分析。通过改变阴极电压、MCP输出端电压这两个参数,研究了紫外像增强器辐射增益的变化情况。结果表明,相同工作状态下,双MCP的辐射增益是单MCP的100倍,这一现象与日本Hamamatsu公司报道的数据十分吻合。单MCP紫外像增强器,阴极饱和电压在300V附近,而双MCP紫外像增强器,阴极电压在300V附近未见饱和现象出现。单MCP和双MCP紫外像增强器中MCP的工作电压分别为800和1100V。此研究有助于探讨双MCP紫外像增强器的合适工作参数,对提高紫外辐射探测成像技术具有十分重要的意义。