偏振光调制的扫描近场光学显微镜应用

本文利用电光调制技术结合反射式扫描近场光学显微镜，获得了可以对光的偏振方向进行调制的针尖发光远场接收反射光的近场显微镜。对原有的Topometrix Aurora NSOM系统作了较大的改进。采用音叉(tuning fork)检测光纤探针与样品间的剪切力取代了原有的光学法振动检测，避免了杂散光干扰。观察了(Ba0.5Sr0.5)TiO3薄膜和LiTaO3晶体表面的电畴结构。横向分辨率约为50nm。观察说明，反射式扫描近场光学显微镜适合研究固体表面的电畴结构，可获得光学衬度较好的电畴分布图像。与形貌图像相比电畴与形貌无关。     

超薄氧化门的等离子体充电损伤机理

探讨了金属氧化物半导体场效应管超薄氧化门在等离子体加工中造成的充电损伤机理,应用碰撞电离模型解释了超薄氧化门对充电损伤比厚氧化门具有更强免疫力的原因.     

用扫描近场光学显微镜观察微畴

本文利用反射式扫描近场光学显微镜观察了硫酸三甘氨酸 [(NH3CH2 COOH) 3·H2 SO4 ) ](简称TGS)晶体的电畴结构和铝酸镧晶体的孪晶畴。横向分辨率约为 5 0nm。对原有的TopometrixAuroraNSOM系统作了较大的改进。采用音叉 (tuningfork)检测光纤探针与样品间的剪切力取代了原有的光学法振动检测。对TGS的观察说明 ,反射式扫描近场光学显微镜适合研究垂直B轴切割的TGS( 0 1 0 )面的自发极化。对这种 1 80°极化的多畴 ,可获得光学衬度较好的电畴分布图像。与形貌图像相比电畴与形貌无关。无论是新鲜解理的原子级光滑表面和表面水解的较为粗糙表面均可观察到分布较为均匀的电畴分布。采用探针发光的透射式和反射式观察铝酸镧晶体 ,发现只有反射式探测能够给出晶体表面的孪晶畴     

等离子体刻蚀加工中的器件损伤

】介绍了器件损伤概念,强调了研究其的重要性,分析了它产生的原因以及减小或避免的办法     

自旋电子学和自旋注入

自旋电子学是一门新兴的学科，利用它制造的自旋电子器件，与传统的半导体器件相比，有着非易失性，提高数据处理速度，降低能量消耗和增加集成密度等优点，从而给现有的电子业带来革命性的变化，有效的自旋注入是自旋电子学面临的重大挑战之一，文中综述了欧姆式注入，隧道注入，弹道电子注入等几种重要的自旋注入方法以及它们的最新进展。     

自旋电子学研究的最新进展

自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道。对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍。通过自旋极化电子高效注入方法和材料的研究,人们期望研制出新一代自旋电子器件,进而实现应用电子自旋传输、记录和存储信息的目标。近期实验给出,自旋极化电子从铁磁金属注入半导体和金属都获得较高的极化率。各种注入方法中,自旋流直接注入法目前备受关注,因为自旋霍尔效应为自旋流的产生与探测提供了新的途径,即自旋霍尔效应可以产生自旋流,但因无霍尔电压故不容易测量;而逆自旋霍尔效应又将自旋流转化为电流,使得难以测量的自旋流又可以直接用电学方法测量。     

几种较新的纳米聚合物传感器

纳米聚合物传感器是全世界正在研究和开发的一类新型传感器.本文重点介绍了金纳米聚合物传感器和石英叉纳米聚合物传感器等几种新型传感器的工作原理及其特性与应用,也涉及了其他类型纳米聚合物传感器.由于这些传感器都具有高灵敏度和和高精确度以及优良的选择性,因而有着广泛的应用前景.     

等离子体充电损伤对氧化门厚度的依赖关系

介绍了氧化门厚度在８～２０ｎｍ范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是,当氧化门厚度减小到４ｎｍ以下时,这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性,对隧道电流具有极好的承受能力。分析了上述两种氧化门厚度范围内等离子体充电损伤的不同机理。     

半导体单壁碳纳米管光电特性研究新进展

介绍了半导体和金属型两类单壁碳纳米管的快速分类法,概述了它们的发光机理及其最新应用,所做的数值计算与已有的实验结果相一致。     

Fe/GaAs中自旋注入效率的研究

自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注.文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析.如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率.