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报道了用离子注入方法和组合技术制备的AlGaAs/GaAs单量子阱多波长发光集成芯片,利用量子阱果面混合原理在同一块GaAs衬底片上获得了20多个发光波长从787 ̄724nm的GaAs量子阱发光单元,研究了不同剂量的As和H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响,采用了组事技术和离子注入技术大大筒化了制备工艺过程,这种上发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义 相似文献
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53.
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较 总被引:2,自引:0,他引:2
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求. 相似文献
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本文利用了光调制光谱,原位测量了GaAs(001)表面Si-δ掺杂结构样品,研究了不同要浓度对Si-δ掺杂相关的光谱结构的影响,观察到了Si-δ掺杂结构中,价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁,观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动,而后达到饱和。 相似文献
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57.
58.
文章根据阜阳市所处的地理位置和复杂的气候条件,对该市的水旱灾情、灾害特征和成灾,作了分析,提出了治水的思路和建议 。 相似文献
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