A STUDY OF THE HELIUM IMPLANTED INTO HR-1 STAINLESS STEEL BY PROTON ELASTIC SCATTERING

Small discs of type HR- 1 austenitic steel (OCr17Ni14MnMo) have been irradiated with 30-170 keV He+ for doses 1015- 1×1018/cm2 at 300K. 2.5 MeV enhanced proton backscattering, TEM, SEM and CEMS are used to investigate the He trapping, bubble structures and the phase stability. It is found that a maximum He concentration of -28 at. % was obtained after implantation with 70 keV He+ at a dose just below critical. The micro- Vickers hardnesses of irradiated layers decrease with increasing dose, particularly when dense bubbles formed. The isomer shift of CEMS increases in the negative direction after irradiation. The austenite is believed to be stable against radiation induced martensitic transformation.     

La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成

用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能生成富金属硅化物,单硅化物和二硅化物,但最终稳定相都是二硅化物LaSi_2,CeSi_2和NdSi_2。氧的沾污不但影响生成的硅化物相和质量,甚至阻止硅化物的生成。镀膜时的衬底温度和防止氧化的保护层对硅化物薄膜的质量,平整度,均匀性等都有明显的影响。     

离子束诱导的金属-硅界面的原子混合

一、引言离子束与固体的相互作用可分为以下几种过程:注入、辐照损伤、溅射和原子混合。离子束混合是指具有能量的离子注入到两种元素的界面区附近,诱导两种元素的相互交混。从七十年代末开始兴起以来,离子束混合的理论与实验研究日益受到重视。从应用的角度讲,它已成为制备过饱和固溶体、亚稳及非晶态合金薄膜及金属硅化物的最新技     

离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究

本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。     

Si中注入Zn的辐射损伤

用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)及注入能量E的增加而单调地增加.这些参数之间的变化关系符合直接碰撞导致非晶化模型,即每一个注入离子由于级联碰撞使表面局部的小区域非晶化.随着剂量的增加,这些非晶态的小区相互重叠而形成一无定形层.     

自校正型CMOS数字温度传感器

介绍了一种CMOS数字温度传感器的设计方法,并针对因工艺偏差所导致一致性差、成品率低的问题提出一种新型自校正技术.利用自校正技术可以有效抑制温度传感器核心模块的基准电压随工艺波动而变化,改善芯片之间的一致性.文中设置不同的工艺角对基准电压源进行仿真,通过对比开启与关闭自校正模块状态下基准电压的最大偏差,验证了自校正技术的有效性.本设计采用CSMCB5212 0.5 μm CMOS工艺实现,提供SPI数字接口,输出10-bit温度值.实际测试结果表明该温度传感器在-35℃~105℃温度范围内温度精度±1℃,整体功耗小于0.6mW.     

Si中注Pb的红外瞬态退火

用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格应力能抑制晶体的外延生长.当外延生长停止后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向表面扩散.     

离子注入、分析联用靶室

近年来,离子注入和离子束分析技术,应用相当广泛,已扩展到许多新的领域,形成了一种多学科性的边缘学科。 离子注入已作为一种成熟的技术广泛地应用在半导体工业上,在半导体制造工艺方面,它比传统的热扩散法显示出多方面的优越性。同时在材料改性方面也引起人们的极大兴趣,许多金属部件在实际使用时起作用的是金属表面的性质,而离子注入正好是能够改变金属表面性质(如硬度、磨损、腐蚀等)的有效途径。此外,离子注入技术用来改变光学表面指定区域的反射率、折射率,这在“集成光学”中是一项有效技术,也有人利用离子注入技术研制记忆元件(如磁泡)以及提高超导材料的超导性能等。     

一种低相位噪声的UHF频段小数分频频率综合器

提出并实现了一款采用相位噪声优化技术的特高频(UHF)频段小数分频频率综合器,其工作频率为0.8～1.6 GHz.采用死区消除技术减少了鉴频鉴相器和电荷泵的噪声对系统的影响.采用分布式变容管结构和二阶谐波滤除技术设计压控振荡器,使压控振荡器获得了更低的相位噪声.采用新型的陷波滤波技术设计△-∑调制器,进一步降低带内相位噪声和系统的杂散.采用TSMC 180 nm CMOS工艺进行了流片验证.测试结果表明该频率综合器在0.01,1和10 MHz频偏处的最大相位噪声分别为-95,-127和-146 dBc/Hz,杂散抑制低于-81 dBc,而频率综合器芯片的功耗仅为20 mW,芯片面积为2.5 mm×1.1 mm.     

陆水水库坝上站蒸发量影响因素分析

为了使蒸发量的修改和插补数据更具合理性和准确性,以陆水水库坝上站为例,对该站蒸发量的影响因素及相关关系进行了研究和分析。结果表明：陆水流域E-601型蒸发器与20 m²蒸发器所测的蒸发量受水汽压力差影响最大;风速对该站两种仪器的蒸发量测量影响不大。在实际蒸发量观测中,应注意观测方法、观测时间、特殊情况下的观测数据处理等,以确保观测数据的准确性。