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51.
金刚石电镀砂带具有超硬材料"硬"和涂附磨具"柔"的双重特性,其工作层表面有序排布磨削小单元之间的缝隙形成了较大的容屑空间,有利于散热,并提高了加工质量、砂带柔韧性及排屑能力,在使用过程中同时具有粉尘少、噪音小的环保优势,因此广泛应用于玻璃、石材、陶瓷、复合材料、水晶、航空航天、硅材料等硬脆材料的磨抛加工。同时,由于镍镀层对磨料有较强的把持力,使电镀砂带拓展于cBN领域成为可能,相对金刚石磨料,cBN砂带可应用于钢铁、铁合金等含铁族元素难加工材料的磨抛。随着国家高效高精加工要求的提高,以及环境保护的迫切需要,金刚石/cBN电镀砂带将有广阔的应用空间和发展前景。 相似文献
52.
53.
54.
55.
La2O3掺杂(Na0.5 Bi0.5)0.94 Ba0.06 TiO3无铅压电陶瓷的介电弛豫研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用固相合成法制备了La2O3掺杂(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶瓷.研究了La2O3掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的影响.XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体.材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰Tf和Tm.修正的居里-维斯公式较好的描述了陶瓷弥散相变特征,弥散指数随La2O3掺杂量的增加而增加.掺杂量较低的陶瓷仅在低温介电反常峰Tf附近表现出明显的频率依赖性,随掺杂量的增加,陶瓷材料在室温和低温介电反常峰Tf之间都表现出明显的频率依赖性.并根据宏畴-微畴转变理论探讨了该体系陶瓷介电弛豫特性的机理. 相似文献
56.
为了研究热压温度和AlN含量对AlN-堇青石玻璃复合材料烧结和介电性能的影响,采用真空热压方法在900~1000℃低温烧结制备AlN-堇青石玻璃复合材料.利用X射线衍射、扫描电镜和阻抗分析仪对复合材料的微结构和介电性能进行了研究.结果表明,随着热压温度的提高,复合材料的相对密度增加,复合材料的介电常数和介电损耗减少;在一定的热压温度下,复合材料的介电常数和介电损耗随着AlN引入量的增加而增加.从复合材料的相组成和结构角度对以上结果予以解释,提高热压温度和增加α-堇青石数量均有利于降低复合材料的介电常数和介电损耗.制备的复合材料具有低的介电常数(5.6~6.5)和低的介电损耗(≤10-3),有望用于微电子封装领域. 相似文献
57.
采用真空粉末烧结法,制备了Al/Tb0.30Dy0.70Fe1.95复合材料,研究了该复合材料的物相、组织结构以及磁致伸缩性能,并对Al的加入量对复合材料的结构与性能的影响规律进行了探索.研究结果表明:烧结制备的Al/Tb0.30Dy0.70Fe1.95复合材料为多相结构,主要存在ReFe2、Al7ReFe5、Al2Re、Al3Re等相,随着Al的体积分数的增加,复合体中非GMM相渐渐增多,而GMM相则相应地减少,复合体内已不存在Al相;随着Al的体积分数的增加,复合材料的磁致伸缩系数λ起初略有上升,后明显下降,与纯GMM合金相比,Al/Tb0.30Dy0.70-Fe1.95复合材料的磁致伸缩性能均较差,当Al的体积分数为20%时,Al/Tb0.30Dy0.70Fe1.95复合材料的磁致伸缩系数约为合金的一半,为512×10-6;在GMM合金中适当增加廉价的Al元素后,可保持一定的磁致伸缩性能,还可以减少稀土等昂贵金属的含量,降低了成本. 相似文献
58.
尾矿微晶玻璃的制备及其性能研究 总被引:5,自引:1,他引:4
研究了以广西北海的高岭土尾矿为主要原料,采用烧结法制备矿渣微晶玻璃的可行性.确定了制备堇青石微晶玻璃的配方(质量分数/%):尾矿53.2,氧化镁18.0,氧化铝16.0,氧化铈4.4,其它8.4.采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等手段研究了热处理工艺对微晶玻璃的相组成、微结构和烧结特性以及介电性能的影响.结果说明:烧结样品可以在900℃完全致密化,此时样品的主晶相为α-堇青石.该材料具有低的介电常数和低的线胀系数,是一种有应用前景的低温共烧陶瓷基板材料. 相似文献
59.
系统研究了按Mo-66.6%Si配比的混合粉末反应烧结合成MoSi2的相变过程,并从热力学和动力学的角度给予分析.结果表明,反应烧结合成纯MoSi2的最低温度为1 200℃左右,且由低温至高温相的形成顺序为Mo Si→Mo3Si Si→Mo5Si3 Si→MoSi2. 相似文献
60.
采用常压固相烧结法制备了Al-Ti共掺ZnO靶材, 采用射频磁控溅射技术及真空退火工艺, 在普通玻璃衬底上制备了具有[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜(ZATO). 采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对ZATO薄膜的生长机理、显微结构、形貌进行了测试分析, 用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计及荧光光谱仪对ZATO薄膜的光电性能进行了测试分析. 结果表明, ZATO薄膜经500℃保温3h退火后, 择优取向由(002)向(100)方向转变; 此时, 衍射谱上还观察到超点阵衍射线条. [100]取向ZATO薄膜的光学带隙从退火前的3.29降至2.86, 平均可见光透过率从90%降至70%, 表现为一般的透过性; 而电阻率则从1.89×10-2Ω·cm降至1.25×10-3Ω·cm, 呈现较好的导电性. 薄膜中均出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰以及410、564nm的深能级发射峰, 且经500℃保温3h退火后, 这些峰的位置并未改变, 但峰强均明显减弱. 对上述实验机理进行了分析讨论. 相似文献