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在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对相关击穿电荷QBD进行了实验测试和分析,研究结果表明：相关击穿电荷QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关.得出了QBD的解析表达式,并且对相关参数进行了研究. 相似文献
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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 . 相似文献
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对热载流子导致的SIMOX衬底上的部分耗尽SOI NMOSFET's 的栅氧化层击穿进行了系统研究．对三种典型的热载流子应力条件造成的器件退化进行实验．根据实验结果,研究了沟道热载流子对于SOI NMOSFET's前沟特性的影响．提出了预见器件寿命的幂函数关系,该关系式可以进行外推．实验结果表明,NMOSFET's 的退化是由热空穴从漏端注入氧化层,且在靠近漏端被俘获造成的,尽管电子的俘获可以加速NMOSFET's的击穿．一个Si原子附近的两个Si—O键同时断裂,导致栅氧化层的破坏性击穿．提出了沟道热载流子导致氧化层击穿的新物理机制． 相似文献
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测量了应力前后GaAs PHEMT器件电特性的退化,指出了GaAs PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起.栅极下AlGaAs层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解释阈值电压漂移中永久性的漂移.空穴积累来源于场助作用下电子的退陷和沟道中碰撞电离产生的空穴向栅极流动时被俘获.对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合,得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系,可以对GaAs PHEMT器件的电性能和可靠性进行评估. 相似文献
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薄栅氧化层相关击穿电荷 总被引：3，自引：0，他引：3
栅氧化层厚度的减薄要求深入研究薄栅介质的击穿和退化之间的关系 .利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量 ,对相关击穿电荷进行了测试和研究 .结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡 .提出薄栅氧化层的击穿是在注入的热电子和空穴的共同作用下发生的新观点 .建立了 Si O2 介质击穿的物理模型并给出了理论分析 相似文献
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通过衬底热空穴 (SHH,Substrate Hot Hole)注入技术 ,对 SHH增强的薄 Si O2 层击穿特性进行了研究 .与通常的 F- N应力实验相比 ,SHH导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 .其击穿电荷要比 F- N隧穿的击穿电荷大得多 ,栅氧化层的击穿电荷量与注入的空穴流密度和注入时空穴具有的能量以及栅电压有关 .这些新的实验结果表明 F- N应力导致的薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定 .提出了一个全新的衬底热空穴耦合的TDDB(Tim e Dependent Dielectric Breakdown)模型 相似文献
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为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅器件的低场迁移率模型并嵌入到器件模拟器Sentaurus Device中.在不同的沟道应变情况下,分析自加热效应随埋氧层的厚度以及短沟道效应随栅长的变化关系.模拟结果表明,相对于Ge组分为0的情况下,Ge组分为0.4的SGOI器件的输出电流提升了至少50%.随着沟道下方埋氧厚度从100nm减小到10nm,自加热温度减小超过60℃;当引入接地层后,DIBL效应减小超过25%,泄漏电流在很大程度上得到抑制. 相似文献
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