LPE GaP:N和VPE GaAs_(1-x)Px:N发光二极管中的电致发光寿命

为了对液相外延(LPE)和汽相外延(VPE)器件之间的差别获得一个基本的了解,通过使GaAs_(1-x)P_x:N二极管从正向偏置换到零偏置并监视电致发光衰减的方法研究了其电致发光寿命(τ_(EL))。τ_(EL)随电流密度J的增加而单调地增加直到J近似为20A/cm~2为止,其后保持恒定。对τ_(EL)起主要影响的材料参数是n-边施主浓度N_D—N_(Ao)如图所     

光纤陀螺在飞机中的应用概况

本文叙述了光纤陀螺在飞机中的应用概况,并介绍了光纤陀螺的发展趋势和市场预测。     

石板街上的凤凰

夜色下的湘西凤凰古城灯火通明,街口处,从文文化广场上被灯火照射成金色的、硕大的凤凰展翅雕塑是引导游客入城的引子。一座风火墙式的照壁上,＂凤凰城＂三字是原国务院总理朱镕基的手迹,格外醒目,凤凰古城就从这里循着石板街延伸。     

石板街上的凤凰

夜色下的湘西凤凰古城灯火通明,街口处,从文化广场上被灯火照射成金色的、硕大的凤凰展翅雕塑是引导游客入城的引子。一座风火墙式的照壁上,"凤凰城"三字是前国务院总理朱镕基的手迹,格外醒目,凤凰古城就从这里循着石板街延伸。站在街口,璀璨的霓虹勾勒出沿街的屋檐、风火墙,店口串串灯笼映出光亮,曲曲折折伸向远处,斑斓的石板街更显深邃。     

激光器和电—光印刷工艺的进展

随着电子办公自动化和文字处理的出现,激发了数字式硬拷贝产品的需要。这种需要激励了高速高分辨率激光扫描技术的发展,它用以逐位对光导体曝光,把数字源信号转变成硬拷贝输出。虽然早期的CRT(阴极射线管)系统使用了笔划法产生字符,但光栅方法的更大灵活性使得它成为印刷技术的主流。本文评述了用以提高硬拷贝产品质量的某些光栅扫描激光器技术。     

薄膜电致发光平板显示器件

本文描述交流薄膜电致发光(ACTFEL)平板显示器件的基本工作原理,结构,设计规则和驱动方法,叙述ACTFEL显示的荧光体和绝缘体的一些基本总是以及采用的各种工艺;介绍了多色TFEL显示的结构和制作技术,还介绍了它们进展水平以及未来发展趋势.     

兰色发光二极管用的SiC衬底材料的单晶生长

由Al,N掺杂的n型层和Al掺杂的P型层组成的高效SiC兰色发光二极管是在单晶6H-SiC衬底上用液相外延生长的。至今,通过Lely法或Acheson工艺生长的晶片已被用作衬底材料。但其不规则形状和约1cm~2的有限面积是SiC兰色发光二极管大规模生产的主要障碍。本文叙述了根据Lely工艺得到的较大SiC单晶锭的一种新方法。由于适当调整温度分布,所以结晶主要发生在反应室里与籽晶顶端相接的有限面积上。晶体生长在2200℃出现。用掺Al粉末和非掺杂SiC粉末的混     

光纤通倍系统用的 GaAs—GaAIAs 高亮度发光二极管的功率和调制带宽

在本文中,我们介绍用于光纤通信系统的 GaAs—AlGaAs 双异质结高亮度发光二极管的一种分析模型。该模型考虑到了所有主要器件和材料参数,例如自吸收,异质界面复合,掺杂浓度,有源层宽度,注入载流子密度和载流子限制。这些参数对 LED 输出功率和调制带宽的影响的理论分析同实验结果一道给出。实验结果与分析模型非常一致。50μm 发光二极管(偏置到接近饱和)在空气中发射的最高输出功率为15mw,具有200W/cm~2·球面度的辐射强度(比曾报导过的任何表面型 LED 都高)。在输出为2mw 时,调制带宽为17MH_Z;获得的最大带宽为170MH_Z。     

英国电信公司计划建立宽带通信系统

英国电信公司想在整个英国建立和布设光缆电视系统，并提出光学星形分布系统的建议。英国政府目前正在研究此项建议和光缆装设的其它建议(包括各项服务,分布技术和业务安排)，该系统最终可能需要花费三十多亿英镑。可望于今后几个月颁布一项政策。     

半导体发光二极管在军事上的应用

本文简述半导体发光二极管(LED)在军事上的应用。着重介绍它们在显示、指示灯、传感器、遥控等方面应用。