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101.
用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2·实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低. 相似文献
102.
刘肃 《石油化工腐蚀与防护》2018,(2)
国内某炼油厂为适应加工进口高含硫原油要求,对常减压蒸馏装置设备材质进行了升级改造。通过对装置腐蚀状况分析和计算,以加工原油硫质量分数0.5%,酸值0.7 mg KOH/g为设防值,在资金有限的情况下,确定了关键部位材质升级范围。完成近50台设备和超过3 800 m高温管线的材质升级设计,成功实现开车投产。装置稳定运行多年,材质升级后设备和管道腐蚀速率大幅下降,材质升级效果明显。 相似文献
103.
采用sol-gel法在载玻片上制备了ZnO薄膜和LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜。利用XRD、SEM、PL、范德堡法以及热探针等测试手段对LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结构性能、表面形貌、光学特性和电学特性进行了表征。研究发现LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜具有ZnO薄膜的结构特性,相对于ZnO薄膜LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结晶性和晶粒尺寸显著提高,并且光致发光强度大大增强。在LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的光致发光谱中出现了紫外发光峰和可见发光峰,紫外发光峰随着Mg/Zn的值的增加向短波长方向移动,可见光的发光强度较紫光峰的强度更强。LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的电阻率约为103~104Ω.cm,并随着Li组分的增加而降低。 相似文献
104.
任何信息化项目都是和公司战略目标的实现息息相关的,即使项目的初衷并没有刻意设定成这样,但这里面没有一种固定格式 相似文献
105.
食源性致病菌MALDI-TOF MS检测方法的建立与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
建立用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF MS)快速检测并鉴定从鲜食蔬菜中分离到的5种食源性致病菌的方法。以标准菌株为模式菌,考察基质溶液配比、菌株培养条件、溶剂处理方法、点样方法及比例等条件对鉴定结果的影响,确定最优方法,并考察方法的稳定性、重复性和检测限。分别用所建立的方法和16S r RNA基因测序法对7株标准菌株和93株分离株进行分析,比较两者鉴定结果的一致性。结果表明,所建立的方法稳定性良好,检测限为106109 cfu/m L,菌株鉴定结果与基因测序鉴定结果具有较高一致性(83%在种水平鉴定一致,94%在属水平鉴定一致)。MALDI-TOF MS法可用于食源性致病菌的准确、快速、低成本、高通量的检测及鉴定。 相似文献
106.
采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/AlGaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel' (DP)自旋弛豫机制,在GaAs (110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs (110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响. 相似文献
107.
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 相似文献
108.
109.
《吉林省水能资源条例》已纳入吉林省人大2008年立法计划,5月19日吉林省政府召开第六次常务会议,对《吉林省水能资源条例》进行了审议,并原则通过。吉林省水能资源纳入法制化管理指日可待。 相似文献
110.
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。 相似文献