(Li,Mg):ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg):ZnO薄膜.重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg):ZnO薄膜的结构及光学性质.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强.但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降.样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg):ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高.     

用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2.实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低     

静电感应晶闸管的负阻转折特性

针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后Ⅰ-Ⅴ特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.     

硅/硅直接键合的界面应力

硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力和由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。     

微污染水处理研究进展

近年来我国大部分饮用水源已经受到不同程度的微污染,现有常规处理工艺己无法有效地去除此类物质。本文叙述了处理饮用水源中微污染物的主要技术,包括生物氧化预处理、化学氧化预处理、强化混凝、活性炭深度处理和膜分离技术,并且概括了各种处理方法的适用适用范围和优缺点。     

CMOS离子敏场效应管SPICE模型

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。     

基于RBF神经网络的模拟数字信号调制识别

针对多种信号在低信噪比条件下识别率低的问题,利用高阶累积量良好的抑制噪声特性,通过构造高阶累积量作为特征参数之一,并联合其他特征参数,采用优化的径向基神经网络对模拟数字信号进行自动调制识别。Matlab仿真表明,该种方法能够有效提高低信噪比条件下的信号识别率。     

Dvorak—Boublik型汽液平衡釜的改进及其标定

一、引言目前,汽液平衡数据的获得虽然有许多半经验的公式可以应用,但大多数都需要用实验数据回归必要的参数。因此建立一套好的汽液平衡测量装置对于开发石油化工工业,为化工基础设计提供宝贵的数据是十分必要的。我们的工作是结合目前国内生产的     

盐碱湿地生态恢复效果

<正>~~     

P型SiC欧姆接触高温可靠性的研究进展

介绍了P型碳化硅(SiC)欧姆接触在高温应用时的可靠性问题.首先,对在P型SiC上实现欧姆接触的工艺方法进行了综述,讨论了如何克服费米钉扎等关键问题;其次,在了解如何实现欧姆接触工艺的基础上,研究了影响该材料高温稳定工作的原因.从材料、工艺两方面总结了如何提高接触可靠性的方法,并尝试性提出了改进思路.