单片机控制的动态车载仪

以MCS-51单片微机作微处理器,压力传感器作敏感测量元件组成的动态车载仪,具有成本低、功能强、可移动等特点。它可在车辆行驶中进超重监测和公路交通流量的统计,计算和数据传送,是公路现代化管理和监测的有力工具。文稿中也对动态车辆的监测原理和软件编制作了较全面的阐述。图3幅,表1     

盐碱湿地生态恢复效果

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科学规划强化措施积极抓好小水电代燃料工作

本文分析了吉林省水能资源状况和小水电代燃料工程的现状.吉林省利用水能资源丰富的特点,科学规划、合理布局、明确目标、强化措施、保证小水电代燃料工程的长效运行.并对此提出了几点意见和建议,希望利用政策扶持和加强投资,让小水电代燃料工程的发展更加有序高效.     

台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响

针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究.实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压.同时,还简要描述了这种器件的制造工艺.     

微波消解—电感耦合等离子体发射光谱法测定胡萝卜中矿质元素含量

本文研究了采用微波消解—电感耦合等离子体发射光谱法测定胡萝卜中10种微量元素的含量的方法。本方法应用微波消解法处理样品,优化了仪器的工作条件,选择了最佳的分析谱线。方法的相对标准偏差0.60-3.26%,回收率在87.0-108%之间,结果令人满意。     

Al/SiC肖特基势垒二极管

报道了用热蒸发A1作肖特基接触在SiC材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。采用射频溅射法在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。I－Ⅴ特性测量说明Al/SiC SBD有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理。反向击穿电压为22．5V，理想因子为1．19，肖特基势垒高度为1．48eV。     

ZnO纳米线的低温生长及其发光特性

采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.对生长过程中所加的辅助电场的作用给出了初步解释.光致发光谱表明,在350～650nm范围内存在一个很宽的发光峰.     

用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.     

P型SiC欧姆接触高温可靠性的研究进展

介绍了P型碳化硅(SiC)欧姆接触在高温应用时的可靠性问题.首先,对在P型SiC上实现欧姆接触的工艺方法进行了综述,讨论了如何克服费米钉扎等关键问题;其次,在了解如何实现欧姆接触工艺的基础上,研究了影响该材料高温稳定工作的原因.从材料、工艺两方面总结了如何提高接触可靠性的方法,并尝试性提出了改进思路.