静电感应晶体管的空间电荷效应

研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.     

溶胶-凝胶法制备LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜及其性能表征

采用sol-gel法在载玻片上制备了ZnO薄膜和LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜。利用XRD、SEM、PL、范德堡法以及热探针等测试手段对LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结构性能、表面形貌、光学特性和电学特性进行了表征。研究发现LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜具有ZnO薄膜的结构特性,相对于ZnO薄膜LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结晶性和晶粒尺寸显著提高,并且光致发光强度大大增强。在LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的光致发光谱中出现了紫外发光峰和可见发光峰,紫外发光峰随着Mg/Zn的值的增加向短波长方向移动,可见光的发光强度较紫光峰的强度更强。LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的电阻率约为103～104Ω.cm,并随着Li组分的增加而降低。     

溶胶-凝胶法制备Na/Mg共掺ZnO薄膜的特性研究

利用溶胶-凝胶旋涂法制备了Na/Mg共掺ZnO薄膜。通过与未掺杂及只掺Mg的ZnO薄膜的对比分析,重点研究了Na/Mg共掺ZnO薄膜的结构、光学及电学特性。扫描电子显微镜(SEM)图像、X射线衍射(XRD)图谱、透射光谱及PL谱的分析结果表明,Na/Mg共掺有利于提高ZnO薄膜的结晶特性及c轴择优取向性。Na/Mg共掺会使得ZnO薄膜的禁带宽度增加,但增加的幅度小于单独掺Mg引起的禁带宽度增加。消除氧空位缺陷后,Na/Mg共掺ZnO薄膜将是一种很好的紫外发光材料。霍尔效应分析结果表明,Na/Mg共掺杂可将ZnO薄膜导电性从N型转变为P型,且使电阻率有很大幅度的增加。     

加工含硫含酸原油的常减压蒸馏装置设备材质升级

国内某炼油厂为适应加工进口高含硫原油要求,对常减压蒸馏装置设备材质进行了升级改造。通过对装置腐蚀状况分析和计算,以加工原油硫质量分数0.5%,酸值0.7 mg KOH/g为设防值,在资金有限的情况下,确定了关键部位材质升级范围。完成近50台设备和超过3 800 m高温管线的材质升级设计,成功实现开车投产。装置稳定运行多年,材质升级后设备和管道腐蚀速率大幅下降,材质升级效果明显。     

GaAs (110)量子阱的电子自旋弛豫

采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/AlGaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel' (DP)自旋弛豫机制,在GaAs (110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs (110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响.     

SITH负阻转折特性的分析模型

提出了一个用于分析ＳＩＴＨ正向阻断态的新模型。这个模型在结构上类似于ＳＣＲ。这样,就可以把ＳＩＴＨ的二维分析简化为ＳＣＲ的一维分析。我们应用了这个模型来分析ＳＩＴＨ的负阻特性并且计算出了阳极正向转折电压,计算结果与实际测量值相符合,从而证明了这个模型的合理性。     

功率VDMOS器件漏电流、热阻与软焊料空洞率的关系

现在被广泛应用的VDMOS器件存在诸多失效模式,主要表现为直流参数大漏电和热阻过高问题,限制了器件应用。通过对其失效器件进行X-RAY、SEM、EDS分析表征得到相关规律。研究结果表明空洞率相对较小时,漏电流大小、热阻值高低均与空洞率成正相关关系,只是随空洞率增长的趋势有所变化。构成器件的不同材料膨胀系数与导热率不同以及空气导热率较低是空洞率引起热阻值改变的主要原因;高热阻加速了Al的电迁移和可动污染离子移动,最终导致器件漏电流增大。     

基于C#．NET的销售员培训管理系统设计与实现

销售对生产型企业及销售型企业的重要性使得企业管理者对销售人员的素质尤为重视。销售人员培训管理系统化、科学化是企业现代化管理的必然趋势。结合具体工程实例,采用SQLServer2005开发底层数据库,用C#语言在VS．NET集成开发环境下进行用户界面设计,完成了整个销售员培训管理系统的需求分析、系统设计与具体实现。     

CMOS SnO2气体传感器模型与热仿真

为了分析CMOS SnO2气体传感器的工作,有必要建立合适的模型,采用晶粒边界的肖特基势垒模型和固体表面对气体的Freundlich等温吸附很好地解释了SnO2的电导与检测气体体积分数工作温度之间的关系,利用ANSYS7．0对实际设计的传感器进行了热仿真,这便于在CMOS后加工工艺中很好地对其控制。