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采用三指单胞的InGaP/GaAs HBT提取的大信号模型参数,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器.通过对传统偏置网络的优化,消除了小信号下的增益压缩.在3.5V电压下,该放大器的最大线性输出功率为30dBm,增益达到29.1dB,对应的功率附加效率为43.4%,临近沟道抑制比达到-100dBc,而静态偏置电流很低,只有109.7mA. 相似文献
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在对InGaP/GaAs HBT特性的研究中发现,发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([01 1]方向)放置时,其直流电流增益和截止频率是不同的.[011]方向的直流电流增益远远大于[01 1]方向,而它的截止频率则略小于[01 1]方向.文献中认为电流增益的不同是压电效应产生的,但这种观点并不能很好地解释截止频率的晶向依赖性.文中用压电效应和两个互相垂直方向上发射区侧向腐蚀形状的不同很好地解释了所有实验结果. 相似文献
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设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面，提出将ＫｒＦ准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工，设计，组装了一套实验系统，可重复可靠地得到剖面陡直的０．３－０．３５μｍ胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺 相似文献
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本文介绍了一种改进型的串联谐振回路在宽带功率合成中的应用.这种回路是在RLC串联谐振回路上并联一电阻构成的.将此谐振回路串联到功率合成级管子的输出端,相比于LC、RLC串联谐振回路,它能更有效地改善全频段的阻抗匹配,使增益平坦度和输出驻波比同时得到了改善.增益平坦度从±1.4 dB降到了±0.75 dB,输出驻波比从6:1降到了2:1以下. 相似文献
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为消除X波段单片集成(MMIC)低噪声放大器(LNA)设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置LC并联再串联电阻的吸收网络的方法.由于吸收网络与PHEMT管的输入电容组成的回路谐振在工作频带内的高频端,因此,降低了带外低频端的高增益,从而消除了多级级联LNA电路中由于低频端增益过高产生的振荡,而电路的噪声性能并没有明显变化. 相似文献
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微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数.采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数,得到了高质量的解.计算结果是全局最优解,摆脱了初始值的影响,并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题.利用测量得到的栅电阻,计算结果的精度可以进一步提高.这个算法同样也适用于HBT、电容和电感等器件模型参数的提取. 相似文献
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在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路．电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间（10%～90%）分别为84ps和56ps,输出电压摆幅2.6V．而FUJISTU公司的同类产品FMM3193VI平均上升时间和下降时间(20%～80%)为120ps,功耗为2.1W． 相似文献
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0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在100mm GaAs片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70%以上,可靠性良好. 相似文献
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制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件,并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。 相似文献
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阐述了一种新型的In0.80Ga0.02As／In0.053。Ga0.47 As双沟道InP HEMT结构。采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率,减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从而既显著提高了HEMT的截止频率,又可获得很高的直流输出电流．0．35μ栅长HEMT器件的电流增益截止频率达到120GHz,饱和电流密度、跨导达到790mA/mm、1 050mS／mm,栅极击穿电压和通态击穿电压分别为5V和3．2V。 相似文献
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