快速循环晶化Al／BiGa：DyIG双层磁光膜的磁和磁光性能研究

基于快速循环退火的技术及经验，给出米晶化和增大有效法拉第角的理论公式，通过与实验结果比较能够很好地解释Ａｌ／Ｂｉ，Ｇａ：ＤｙＩＧ双层膜的磁光增强及温度变化特性等原因，同时发现在石榴膜厚０．１－１．３μｍ范围内，双层膜法拉第角比单层膜增大了０．２０度。     

新方法实现双传输零点LTCC带通滤波器

采用新型方法设计了一个具有两个有限传输零点的集总参数二阶小型化低温共烧陶瓷(LTCC)带通滤波器。滤波器是基于电容耦合谐振带通滤波器的基础上进行设计的。两个谐振腔之间的共同接地电感使滤波器产生了两个有限传输零点,通过调节接地电感的大小可以改变高频处传输零点的位置,致使滤波器具有优良的带外抑制性能。滤波器设计紧凑,整个封装尺寸仅为2.5mm×2.0mm×0.9mm,满足1008型号封装要求。     

叠层片式低通滤波器的设计与制作

利用LTCC<CF(低温共烧陶瓷和低温共烧铁氧体)技术设计和制作了具有标准封装型号0805型叠层片式低通滤波器,给出了一个完整而有效的设计流程.并采用介电常数为14、流延厚度为30μm的陶瓷膜片成功制作了截止频率在220MHz的三阶低通叠层片式滤波器,其外形尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm.     

应力作用下电流退火对钴基非晶薄带的巨磁阻抗效应的影响研究

采用应力作用下的直流电流退火处理Co68.2Fe2.3Mo2Si12.5B15非晶薄带，详细讨论了应力退火前后Co基薄带的巨磁阻抗效应的变化，以及退火时间对巨磁阻抗效应的影响，研究表明：应力作用下的电流退火有利于巨磁阻抗效应的提高，并可以通过控制退火时间控制阻抗与外场变化关系曲线形状。     

B靶溅射功率对FeGaB薄膜磁性能的影响

采用磁控共溅射法制备FeGaB合金薄膜,FeGa靶的溅射功率为40 W,通过调整B靶的溅射功率来调控薄膜的成分.结果表明,制备出的FeGaB薄膜厚度均匀,呈非晶态,具有较小的矫顽力和较大的磁致伸缩系数.当B靶的射频溅射功率大于30 W时,薄膜的矫顽力Hc降低到2.1 Oe左右.B靶溅射功率增大时,B元素的含量增大,Fe...     

溶胶-凝胶法制备的M型钡铁氧体的显微结构与磁性能

采用溶胶-凝胶法制备钡铁氧体粉体,研究pH值和烧结温度对粉体微观结构和磁性能的影响,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)等测试手段表征BaM的结晶特性、微观结构与磁性能。结果表明,pH=7时合成的钡铁氧体性能最佳,XRD谱没有杂峰,形成纯相的BaM,晶粒尺寸为1～4μm,其比饱和磁化强度达43.4emu/g,矫顽力达4.65kOe,矩形比为0.529。在850～925℃内,无论是酸性、中性还是碱性条件合成的钡铁氧体,均表现出永磁特性,比饱和磁化强度随着烧结温度的增高呈现出先增大后减小的趋势,当烧结温度达到900℃时,比饱和磁化强度最大。