π／4—DQPSK调制快速位定时捕获算法及其DSP实现

阐述利用一种新的π/4-DQPSK调制快速位定时捕获算法进行低速率数字移动突发通信,并利用TMSC54xDSP芯片实现该算法的关键技术。实验表明,该算法能够更加有效地克服多普勒频移并快速实现定时捕获。     

灰色理论在入侵检测技术中的应用研究

灰色理论作为网络技术的重要应用,近年来得到广泛研究.建立了一种基于GM(1,1)模型的入侵检测数据拟合补缺预处理模型,以及一种基于灰关联的监测指标简约算法.它们具有要求样本量少,复杂性较低,程序实现较为容易,对更新快的样本数据有很强针对性等特点,并进行了实证分析.结果显示,它们可以明显减少系统资源占用量,提高监测的实时性和准确性,降低检测的误检率和漏检率.     

宽带数字接收机I/Q幅相不一致性的校正

随着数字技术的发展,正交双通道变换在接收机中得到了广泛的应用。但是,由于各种因素的影响,I／Q通道的正交一致性并不能得到完全的保证,这会降低接收机的动态范围,进而影响接收机的性能。本文提出了一种宽带数字接收机I／Q幅相不一致性的校正方法,首先通过一种时域方法获得误差信息,接着构造滤波器组对I／Q信号进行校正。仿真结果表明,这种方法能有效提高宽带接收机I／Q通道的正交一致性。     

页岩气水平井分段压裂作业中全可溶桥塞的应用

针对可溶桥塞在现场应用中遇到的问题,对桥塞溶解缓慢、球入座迹象不明显、返排物中产生结晶体、复合桥塞与可溶桥塞混合使用以及桥塞坐封未丢手等情况进行了原因分析,并提出了相应的解决方案。对全可溶桥塞返排步骤和连续油管扫塞工艺进行了介绍,为指导现场作业提供了借鉴。     

纳米线超小绒面太阳电池的改进研究

多晶硅太阳电池由于晶向不一致,存在反射率较高的问题,因此,降低多晶硅太阳电池的反射率成为提高多晶硅太阳电池性能的最有效手段之一。利用硝酸银溶液作为腐蚀液,对多晶硅的表面进行处理,使得多晶硅片表面的反射率在可见光波段降低到5%左右,同时探索了利用氮化硅作为保护层,避免腐蚀液对多晶硅片背面造成损伤的方法。最后,对利用此方法制备多晶硅绒面存在的问题进行了分析,并提出了下一步的改进方案。     

CIDF的组件通信分析和算法描述

介绍了CIDF（通用入侵检测框架）基本结构。针对IDS组件在本地和远端两种情况下的组件通信机制进行了深入的分析。并在分析的基础上，提出了基于CIDF框架的组件通信过程的可行性算法描述。     

纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究

介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应以及在固定的Vds电压下,源漏电流(Ids)随栅极电压(Vgs)变化的一系列周期变化的电流振荡特性.     

纳米结构的制备及其应用

介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点的工艺方法;采用这种工 艺在P型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功地制造出一种单电子晶体管.     

提高注水系统效率方法初探

目前，孤一区所用电机均为5601．2型，额定功率为2000kW,额定效率为95．5％，对于现场实际来说，从电机效率计算公式知，只有电流和功率因数是可调的，而电流又随负荷系数的变化而变化，同时，电流又与电压有着必要的联系，负荷系数与功率因数也存在着重要的联系，因此，电机正常工作（保证高效率运行）必须满足的两个条件：（1）电机输入功率必须大于或等于额定功率。（2）电机须在额定负荷系数下运行效率最高。     

硅单电子晶体管的制造及特性

报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺,在p型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管.特别是,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流-电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.器件的总电容约为9.16aF.在77K工作温度下,也观测到明显的电流-电压振荡特性.