以N—乙基—4—乙酰胺基—1,8—萘亚胺为发光层的电致发光二极管

合成了Ｎ乙基４乙酰胺基１，８萘亚胺（ＮＡ）。结果表明，以ＮＡ为发光层，聚乙烯咔唑（ＰＶＫ）为空穴传输层的多层薄膜发光器件Ａｌ／ＮＡ／ＰＶＫ／ＩＴＯ，在正相驱动电压为２７５Ｖ时，可获得１５０ｃｄ／ｍ２的Ｎ乙基４乙酰胺基１，８萘亚胺（ＮＡ）的黄绿光。     

C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究

以重掺杂Si片作为衬底,SiOe／聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管（OFETs）;研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定的提高,其中Alqa／LiF双修饰层器件的场效应迁移率达到最大,为1．6×1...     

柔性有机电致发光器件的寿命

综述了柔性有机电致发光器件(FOLED)的研究现状和发展趋势;针对提高其寿命问题的研究,选择和比较了聚合物、金属箔片、超薄玻璃3种柔性衬底材料的优缺点及发展概况;结合本课题组的实验分析,说明设计并选择合理的器件结构、发光材料和阴极材料对延长器件的使用寿命非常有效;提高FOLED寿命的另一重要步骤是减少水蒸汽和氧气向器件内部的渗透,最后也简介了以聚合物和超薄玻璃为衬底材料的器件封装方法。     

有机电致发光器件的封装技术

有机电致发光显示器件(OLED)被认为是综合性能最理想、最具发展前景的下一代显示技术之一。但由于其使用寿命太短,制约了OLED显示技术的产业化发展。对OLED进行有效的封装是解决这些问题,进而提高其使用寿命的最直接和最有效的方法。文章综述了OLED显示器件老化的机理及其封装技术(物理法、化学法、复合封装法);分析了各种封装技术对OLED显示器件寿命的影响因素及各自的优缺点。     

离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展

以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用.综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能的方向发展.     

柔性有机薄膜电致发光显示材料及器件

有机薄膜电致发光显示器件(OLED)近年来得到了迅猛发展,是未来全固体平板式彩色显示器的重要候选者,其最大优势之一是可以制作成柔性显示器件。本文综述了柔性有机电致发光材料及器件的发展概况、工作原理与优缺点,目前制作此类器件中存在的困难及解决这些困难的有效措施。     

Performance of pentacene-based organic field effect transistors using different polymer gate dielectrics

Pentacene-based organic field effect transistors（OFETs） are fabricated using poly（methyl methacrylate）（PMMA） and polyimide（PI） as gate dielectrics,respectively.The fabricated OFETs exhibit reasonable device characteristics.The field-effect mobility,threshold voltage,and on/off current radio are determined to be 3.214 ×10^-2 cm^2 /Vs,-28 V,and 1 ×10^3 respectively for OFETs with PMMA as gate dielectrics,and 7.306×10^-3cm^2 /Vs,-21 V,and 2 ×10^2 for OFETs with PI.Furthermore,the dielectric properties of gate insulator layer are tested and the dipole effect at the semiconductor/dielectrics interface is also analyzed by a model of energy level diagram.     

Al掺杂ZnO纳米棒的性能研究及其在太阳能电池中的应用

通过水热法制备了不同质量分数(0%,0.5%,1.0%和1.5%)的Al 3+掺杂ZnO纳米棒,扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见(UV-vis)吸收光谱等测试结果表明,通过这种方法得到了较为规整的ZnO纳米阵列,结晶良好、具有明显的c轴生长取向;掺杂浓度的增加对产物的形貌和晶体结构产生了明显的影响。通过瞬态光谱和面电阻测试发现,Al 3+掺杂提高了ZnO传导电子的能力。将Al 3+掺杂的ZnO纳米棒同时作为电极与电子传输层,应用于有机太阳能电池器件中,在低浓度(0.5at.%)掺杂时得到最佳的器件性能,相比于未掺杂的ZnO纳米棒,短路电流提高了30%,光电转化效率提高了50%。     

Plasmon-enhanced polymer bulk heterojunction solar cells with solution-processable Ag nanoparticles

We report the plasmon-enhanced polymer bulk-heterojunction solar cells with Ag nanoparticles (AgNPs) obtained via chemical method. Here, the AgNPs films with different particle densities are introduced between the poly (3,4-ethylene dioxythiophene) poly (styrenesulfonate) (PEDOT: PSS) buffer layer and the poly (3-hexythiophene):[6,6]-phenyl-c61 butyric acid methyl ester (P3HT: PCBM) layer. By improving the optical absorption of the active layer owing to the localized surface plasmons, the power conversion efficiency of the solar cells is increased compared with the control device. It is shown that the efficiency of the device increases with the density of AgNPs. For the device employing higher density, the resulted power conversion efficiency is found to increase from 2.89% to 3.38%, enhanced by 16.96%.     

基于沟道及电极修饰的酞菁铜场效应晶体管的性能提高研究

利用对四联苯p -4P 以及五氧化二钒V2O5同时修饰导电沟道及源/漏电极,大幅 提高了基于酞菁铜CuPc场效应晶体管的性能。本文通过在绝缘层SiO2和有源层CuPc 之间插入p-4p缓冲薄层,同时在源/漏电极Al与有机半导体之间引入电极修饰层V2O5, 使得CuPc场效应晶体管的饱和迁移率和电流开/关比分别提高到5×10-2cm2 / V s和 104。p -4P能够诱导p型CuPc形成高度取向的连续薄膜,使得载流子能够在有源层中 更好地传输;而V2O5能够调节载流子的注入势垒,并可有效地降低沟道接触电阻(Rc)。 此方法能够在降低器件制备成本的前提下,大幅提高器件的性能。