PTN资源统计分析系统的研究及应用

PTN传输网经过近几年的不断建设和发展,网络规模迅速扩张,网元数量急剧膨胀。目前现网承载的业务种类繁多、数量庞大,且调整频繁。网络的日常维护和建设规划需要准确快速的掌握现网情况,通过网管逐条收集数据耗费人力、效率低,分析网络资源周期长、难度大。这就需要建设更高管理能力、更高操作效率的资源统计分析系统。     

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺     

碳酸二乙酯—乙醇二元体系的汽液相平衡研究

测定了碳酸二乙酯—乙醇二元体系的汽液平衡数据,利用二元体系的汽液平衡数据,采用EOS γ法分别用Wilson和NRTL方程模拟计算了碳酸二乙酯—乙醇二元体系在常压下的汽液平衡并进行了关联,二种不同模型的计算结果与实验值都较为吻合,其中以Wilson方程的拟合结果为更好。     

高阻Si衬底对SiGe HBT高频性能的改善研究

选用电阻率高达1 000Ω·cm的硅衬底结构改善SiGe HBTs频率性能。介绍了器件的结构设计,根据衬底寄生参数模型分析了衬底阻抗影响器件高频性能的原理,计算出器件f_T和f_(max)随衬底电阻率变化的规律。测试结果表明,高电阻率衬底器件比n~+衬底器件的特征频率f_T提高了28%,而最高振荡频率f_(max)提高了47.7%;表明高电阻率衬底基本消除了SiGe HBT中大多数容性寄生网络;通过对器件的最小噪声系数的计算与测试分析,发现高阻Si衬底的引入使器件的噪声系数在低频时几乎不变,在高频时轻微增加。     

用CCII回转器设计梯形结构电流模式滤波器

该文提出一种设计高阶CCⅡ(第二代电流传输器)电流模式滤波器的新方法,即用CCⅡ回转器综合电流模式无源梯形网络的输入导纳,从而设计出高阶电流模式CCⅡ滤波器。用该方法设计出的电路与其它同类电路比较,电路结构简单、所使用的CCⅡ数目少。文中对CCⅡ的非理想特性进行了分析,提出了对CCⅡ的非理想特性进行补偿的方案。文中给出了六阶巴特沃斯滤波器的设计举例及补偿前和补偿后的计算机PSPICE仿真结果。     

射频放大器前馈技术仿真

为了满足现代无线通信对放大器线性度的要求,需要对射频放大器的线性度进行优化.讨论了前馈技术的原理和方法。并用ADS软件进行了仿真,利用前馈技术优化的放大器,线性度改善了40dB以上,表明前馈技术对改善放大器的线性度效果明显。     

大功率白光LED电流应力可靠性测试

为了测试大功率白光LED的可靠性,对1 W和3 W大功率白光LED进行各3组以电流为应力的可靠性试验.试验结果表明:影响大功率白光LED可靠性的主要因素为结温和荧光粉失效;大功率白光LED缓变失效过程中,光通量下降的幅度为15%~20%;试验开始阶段存在“催化升高”现象;降低pn结到环境的热阻并且改进材料生长工艺,能有效地减少非辐射复合几率,提高发光效率.     

基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT

介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N 衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.     

基于SOS/SOI绝缘衬底的Si/SiGe HBT设计

着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制。基于双口网络理论，定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系；采用SOS／SOI绝缘衬底和自行设计的岛型膈离方法，抑制了绝大多数容性寄生参数；同时，围绕绝缘衬底进行Si／Si GeHBT的横向／纵向结构设计，开发出发射极自对准工艺方法，用于降低接触电阻和一定特征尺寸下的结面积，提高了HBT的频率性能。     

太阳能LED路灯芯片封装的模拟与研究

随着资源和能源的逐渐减少,人们对清洁能源太阳能和LED节能照明产品关注程度也在不断提高。本文拟利用TracePro光学仿真软件进行LED芯片封装的模拟,主要从反光杯的材料选择,结构造型和光学参数等方面进行优化,以期设计出出光效率更高的芯片封装形式。