77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT

通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数,找到一种低温工艺方法,研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。     

基于小信号等效电路模型的SiGe HBT 高频特性模拟分析

给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算了器件的稳定性与工作频率之间的关系.为器件的设计和应用提供了理论依据.     

碳酸二乙酯-草酸二乙酯二元体系汽液平衡数据的测定与关联

测定了碳酸二乙酯草酸二乙酯二元体系常压汽液平衡数据，利用二元体系的汽液平衡实验数据，运用Visual Basic计算机语言，采用EOS γ法分别用Wilson和NRTL方程模拟计算了碳酸二乙酯-草酸二乙酯二元体系在常压下的汽液平衡并进行了关联，其平均偏差分别为0．0309和0．0201，并进行了热力学一致性检验，两种不同模型的计算结果与实验值都较为吻合，其中以NRTL拟合结果为更好。     

朱鎔基同志质量面前铁面无情

无论是在中央工作还是在地方工作，朱基同志给人的印象最深的是实事求是，一丝不苟，对于经济工作的重大事件，有时也会大发其火，声势夺人，在产品质量问题上尤为如此。８０年代初期，朱基同志到国家经济委员会担任副主任以后，对质量工作和质量问题始终抓住不放，甚...     

采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻

采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。     

用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能

常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.     

太阳能LED路灯芯片封装的模拟与研究

随着资源和能源的逐渐减少,人们对清洁能源太阳能和LED节能照明产品关注程度也在不断提高。本文拟利用TracePro光学仿真软件进行LED芯片封装的模拟,主要从反光杯的材料选择,结构造型和光学参数等方面进行优化,以期设计出出光效率更高的芯片封装形式。