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介绍了近几年来国外研制的几种对射频钝感的电火工品 ,如防射频的泄放式电爆装置和屏蔽式电爆装置以及防射频的半导体桥起爆器和蛇形电阻器式点火元件 ,并对其进行了简要的分析比较 相似文献
144.
介绍一种适用于弹药触发点火的电子开关,该开关由电路构成,电路中有高压源,一个与高压源相连的,密封的双电极火花隙,一个与密封隙串联的微隙,一个与微隙相连的爆炸箔起爆器,和一个桥接在高压源和密封隙引线之间的储能电容。触发电路连接在高压源和发火脉冲发生器之间,并且伸出一根引线联接到上述电路中的密封隙和微隙之间。储能电容器被电压源充电至电压V,它实际上是施加在密封隙上的,发火电路发生器的脉冲激励触发电路产生高电势Vt,加上密封隙导通后叠加过来的电压V,击穿微隙,使电流通过。到达爆炸箔起爆器。 相似文献
145.
雷管用在户外,靠近无线电发射天线。为了能够发火,电雷管通常有长长的引出线,这些引出线起到了接收天线的作用。雷管暴露在无线电发射天线附近时,会有射频流经过这些引出线,而射频可能带来使雷管意外发火的危险。为了减少这种危险,在生产有些雷管时在里面加装了一个小电容器,防止射频流加热桥丝。电容器非常小,不会改变电雷管的外部特征。使用这些雷管的人必须检查并确保这种电容器是存在的,而且处于良好的工作状态。换句话说,人们需要确定他们所使用的的确是一个防射频的雷管。本文将对Franklin应用物理公司研制的手持式安全测试仪进行介绍。 相似文献
146.
半导体桥问世多年,人们对它也一直很看好,但由于在使用中存在一系列的可靠性问题,一直未能得以广泛应用。截止今日,在所有的应用中,能够对点火可靠性产生影响的最关键的因素,是桥与药剂的接口问题。人们一直在大力宣传半导体桥属于等离子体点火方式,暗示这种点火是非常可靠的,但作者根据自己的经验认为,这种点火方式并不十分可靠,桥/药剂界面处(接口处)存在的任何问题,都会对装置的可靠性产生负面影响。与常规桥丝式点火方式相比较,半导体桥具有许多优势,对某些装置来说,这些优势包括快速点火、低能、DC封堵等,对某些装置来说还具有对RF的防范能力。如果点火可靠的话,那么在大量的应用中这些优势便能充分发挥其作用。还有许多冲击环境下的应用场所,比如在射出的子弹中点火(ejeeted projeetiles),如果半导体桥具有高度耐冲击性的话,那么它的这些优势便可充分发挥。目前已研制出了新一代半导体桥,通过降低对桥/药剂界面的品质要求,新一代半导体桥提高了点火可靠性。已经做过的试验表明,在间隙超过3mm的情况下仍能点火,如图所示。本文讨论了在跨越如图所示间隙的情况下,反应式半导体桥可靠起爆的性能。本文还对半导体桥的类型作了概括,讨论了与半导体桥相关的一些文章,同时也对用于高冲击环境点火装置的半导体桥的应用情况作了介绍。文章给出了半导体桥结构以及含有这种半导体桥装置的外形图,同时也介绍了半导体桥在机动车辆上的应用情况,包括总线结构以及集成式发火装置。 相似文献
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<正>一、规划背景杭州临平小林高科园区位于超山东翼、临平几何中心、经开区西门户,规划总用地面积85公顷。2020年8月,杭州余杭经济开发建设有限公司提出规划建设临平小林高科园区,在大走廊时代和新制造业计划下,将迎来难得的发展机遇:区域层面:是全力推进东部崛起,建设临平未来智造城的重要支点;城市层面:则是吸引多维要素集聚流动的关键锚点;临平层面:也是加快制造产业转型创新的优良载体;特色层面:更是人文碰撞、城景交织,塑造经开区产业门户形象的新地标。 相似文献
150.
采用阳极氧化-浸渍法,制备了异质结型Zn Fe_2O_4-Ti O_2纳米管阵列复合光催化剂。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等分析方法对光催化剂进行了结构表征,并考察了在可见光照射条件下Zn Fe_2O_4-Ti O_2纳米管阵列对TC降解的光催化性能。结果表明,Zn Fe_2O_4-Ti O_2纳米管阵列能有效降解盐酸四环素(TC)。低浓度TC降解效果比高浓度好,酸性条件有利于光催化反应,投加适宜浓度的H_2O_2(10 mmol/L)时会和催化剂产生协同效果,H2O2浓度过低或过高,催化效果均下降。在20~40℃范围内,高温有利于提升催化反应速率。阴离子对催化效果有抑制作用,其中CO_3~(2-)的抑制作用最强。所制备的复合催化剂具有较好的实际应用价值。 相似文献