支持中小企业技术创新政策发布

针对我国加强自主创新体系建设的战略方针，科技部副部长曹健林近日接受本报专访时明确表示，创新体系建设的关键是要加强软环境要素建设，国家将把支持重点由加强物质资源类要素建设转为加强软环境要素建设。     

Ti-22Al-25Nb合金ISM熔炼过程中的成分控制

采用X荧光光谱(XRF)分析水冷铜坩埚真空感应炉熔炼(ISM)加入和不加入稀土Y的Ti-22Al-25Nb合金铸锭成分,分析结果表明,在保证获得成分均匀的合金铸锭的情况下,Al的挥发烧损在28.94%～33.88%之间;加入at为0.5%～1%Y,Y的挥发烧损在w为17.20%～34.26%;采取提高熔化温度降低保温时间的措施可以降低Al的挥发烧损.     

镁基块体非晶合金制备及其晶化处理

在空气中采用普通铜模浇注法制备了Mg65Cu22Zn3Y5Nd5块体合金试样,利用X射线衍射确定铸态样品的非晶态性质,用差示扫描量热仪(DSC)分析合金的玻璃转变、晶化和熔化行为。研究表明,能形成完全非晶态试样的最大尺寸为4·5mm,试样的过冷液相区△Tx为51·3K,约化玻璃转变温度Trg为0·59。与无锌合金比较,Mg65Cu22Zn3Y5Nd5金属玻璃的晶化转变行为更为复杂,表现为明显的三级晶化。对Mg65Cu22Zn3Y5Nd5非晶合金进行等温退火处理后,发生了非晶态向晶态的转变,原本单一非晶峰上出现了与晶体相对应的尖锐晶体峰。当采用分步退火处理时,组织更为均匀细小。     

熔体过热温度对Al-4.7%Cu合金定向凝固组织和性能的影响

在温度梯度和抽拉速率一定的条件下,研究熔体过热温度Ts对Al-4.7%Cu合金定向凝固组织及力学性能的影响,利用综合热分析仪测定Al-4.7%Cu合金熔体结构特征及变化过程。试验结果表明:熔体过热温度对Al-4.7%Cu合金定向凝固组织及力学性能有显著影响,经过1 050℃过热处理的一次枝晶间距1λ比在750℃无过热直接定向凝固的减小了35%左右,抗拉强度提高了近30%,伸长率提高了近40%;熔体过热处理改变了熔体的结构状态,从而影响了最终组织及性能;通过熔体过热处理的Al-4.7%Cu合金,其富Cu相明显减少,断口韧窝数量显著增加。     

CuZnAl形状记忆合金与不锈钢连接接头性能研究

采用金相观察、拉伸、扫描电镜等研究了CuZnAl形状记忆合金与不锈钢交流点焊焊接接头的力学性能、形状恢复率等，给出了获得较高接头性能的焊接参数。结果表明．在适当焊接条件下。CuZnAl形状记忆合金与不锈钢交流点焊焊接接头的拉伸性能下降幅度不大；焊点处形状记忆效应消失,在焊点熔核外热影响区以外形状记忆效应跟母材相同。     

离子注入铅的铝电极腐蚀的交流阻抗研究

通过测量25℃时1.28g/ml硫酸溶液中铝电极和离子注入铅的铝电极的交流阻抗谱,研究了铅离子注入量对铝电极的腐蚀速率的影响。在此基础上,测量了离子注入铅的铝电极和铝电极在同种介质中的Tafel曲线,辅助交流阻抗法研究电极的腐蚀行为。以此总结出离子注入铅的铝电极的耐腐蚀性能,并探讨了它的腐蚀机理。     

不同载荷下CuZnAl合金干滑动磨损性能研究

对CuZnAl（RE）形状记忆合金采用不同热处理工艺后,进行了干滑动磨损试验.在不同相变温度、不同载荷、不同磨损时间的条件下,做了CuZnAl（RE）形状记忆合金的干磨损试验,并与ZQSn5-5-5和ZQAl9-4做了对比,用电子扫描显微镜和X衍射仪对磨损表面和磨屑相组成进行了观察和检测.试验结果表明,晶粒细化与锻打能提高合金的耐磨性,合金的M相比β相耐磨,两级时效处理的合金耐磨性能优于分级淬火处理的合金.CuZnAL（RE）形状记忆合金的耐磨性优于ZQSn5-5-5和ZQAl9-4.CuZnAl（RE）形状记忆合金磨损机制主要为粘着磨损、剥离磨损和磨粒磨损.     

利用Word模板及宏对工程技术长文档排版

以《苏北供水计量关键技术》的排版为例,重点介绍Word2013模板、VBA宏、正则表达式以及高级查找替换等技术在工程技术文档排版中的运用。     

溪洛渡电厂18F机组启动试运行试验研究

总结了溪洛渡右岸18F机启动试运行试验。检验了厂家的保证值,划分了18F机在全负荷范围的稳定运行区域,并找出了各运行区域振动的主要频率。试验成果有助于溪洛渡东电机组及电网的安全运行。     

降低高分子电容式湿敏元件湿滞的实验研究

针对高分子电容式湿敏元件的湿滞无法通过后续电路完全实现补偿的问题,提出了从高分子电容式湿敏元件本身降低湿滞的方法。主要从制作工艺、湿敏材料的选择两方面进行了实验验证,并对制作完成的高分子电容式湿敏元件进行性能测试与数据分析。实验结果表明：通过控制制作工艺和对湿敏材料进行改性可以降低湿滞,湿滞优于1.5%RH。采用该方法制作的湿敏元件无需再次通过后续电路进行湿滞补偿。