GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.     

生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响

利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等.通过降低晶体生长过程的温度梯度,降低位错密度并减小晶体中的残留热应力可以提高晶体的完整性.利用高温退火处理也可有效地降低磷化铟晶体中的残留热应力.对磷化铟晶体生长过程中熔体的配比、掺杂浓度等条件对结构完整性的影响进行了分析.     

提高陆射巡航导弹发射装置及车辆生存能力的技术途径与措施

在现代战争中，先进侦察装置、精确打击武器的大量使用对陆射巡航导弹地面发射设备的生存能力构成严重威胁，在非对称战争中，伪装隐蔽与防护技术是装备劣势国家提高武器装备生存能力的主要手段，其重要性是任何时代都无法比拟的。在综合分析国外战场多种军用车辆提高生存能力所采取的伪装隐蔽与防护技术措施的基础上，探讨可能适合提高陆射巡航导弹地面发射设备和车辆生存能力的技术途径和综合措施。     

半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿

比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.     

毫米波段随机雨介质等效复折射指数的神经网络模型

利用改进的BP算法,结合电波传播理论,建立了随机介质的等效复折射指数的神经网络模型,利用仿真得到的复折射指数计算了降雨衰减率, 其结果与测试值基本吻合。利用神经网络方法来预报离散随机媒质的介电特性是一种有效、简便、可行的方法,它可以避免复杂的计算和测量。     

离子注入AlN 单晶的荧光谱分析

High concentrations of Si and Zn were implanted into （0001） AlN bulk crystal grown by the self-seeded physical vapor transport （PVT） method. Cathode luminescence （CL） and photoluminescence （PL） spectroscopy were used to investigate the defects and properties of the implanted AlN. PL spectra of the implanted AlN are dominated by a broad near-band luminescence peak between 200 and 254 nm. After high temperature annealing, implantation induced lattice damages are recovered and the PL intensity increases significantly, suggesting that the implanted impurity Si and Zn occupy lattice site of Al. CL results imply that a 457 nm peak is Al vacancy related. Resistance of the AlN samples is still very high after annealing, indicating a low electrical activation efficiency of the impurity in AlN single crystal.     

非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性

对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究.非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料.但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性.纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到106Ω·cm和1800cm2/(V·s);而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达107Ω*cm和3000cm2/(V*s)以上.对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL-Mapping结果进一步比较表明:在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘材料的均匀性最好,而在纯磷气氛下制备的半绝缘磷化铟的均匀性较差.     

高质量InAs单晶材料的制备及其性质

利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).     

塑料产品中对特辛基苯酚的测试

提出了气相色谱-质谱联用仪测定塑料材质中配制品对特辛基苯酚的方法,以丙酮为溶剂,采用超生波提取法提取塑料产品中对特辛基苯酚含量,外标法进行定量。该方法平均回收率为85%～110%,检出限分别为0.1mg/kg。     

电力系统信息安全风险评估策略研究

该文结合电力系统信息化建设的现状,分析了目前在信息安全评估领域的主要方法,提出了电力系统信息安全风险评估的策略。