大学生创业能力培养研究

在新时期要以加强大学生创业能力培养为出发点,结合社会需求,探讨创业教育课程体系建设与师资力量建设、校园文化和加强实践环节与大学生创业能力培养的关系。针对现有大学生创业能力培养中存在的不足,探索培养具有较强实践能力、综合素质的创业型人才的新方法。     

高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱(TSC)、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC)SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶巾的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.     

基于灰色经验融合的电网故障研判模型

针对电网故障检测系统中既有专家经验与处置方案难以充分利用的问题,提出了基于灰色经验融合的电网故障研判模型,并给出了该模型的框架结构、处理流程以及主要算法。该模型采用灰色信息融合方法实现专家经验与现场数据的融合,使用灰色聚类匹配算法抽取与现场数据高度相似的专家经验,实现当前故障的研判,并将最终的研判结果、处置方案与检测数据融合,促进专家经验库的优化。对比试验结果表明,该模型具有较高的研判精度、较为全面的故障覆盖度以及良好的时效性。     

高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料

对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨.     

非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷

用辉光放电质谱(GDMS)测量了原生液封直拉(LEC)磷化铟(InP)的杂质含量.利用霍尔效应测到的非掺LEC-InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度.在非掺和掺铁InP中都可以用红外吸收谱测到浓度很高的一个氢-铟空位复合体施主缺陷.这个施主的浓度随着电离的铁受主Fe2+浓度的增加而增加.这些结果表明半绝缘体中氢-铟空位复合体施主缺陷的存在对铁掺杂浓度和电学补偿都有重要影响.     

基于台区功率共济的屋顶光伏功率消纳方法

随着整县屋顶光伏试点工作的逐步推进,光伏功率消纳的问题日益凸显。为解决光伏发电功率波动大、消纳率低的问题,提出了一种基于台区功率共济的屋顶光伏功率消纳方法。首先,通过边缘物联终端采集配电台区屋顶光伏的发电功率数据,并采用长短期记忆网络对光伏历史发电功率和气象数据进行综合分析,生成多时间尺度的光伏发电预测曲线;其次,通过储能装置、跨台区联络开关建立微电网调度控制模型,计及短期光伏发电功率预测,合理安排用能策略、储能策略和跨配电台区功率共济消纳策略,以提高光伏功率的消纳水平;最后,在某县应用该方法,其光伏功率消纳比例达95.26%,较蒙特卡洛方法提高16.18%,运行结果验证了所提方法的有效性。     

Carbon agent chemical vapor transport growth of Ga2O3 crystal

Beta-type gallium oxide (β-Ga₂O₃) is a new attractive material for optoelectronic devices. Different methods had been tried to grow high quality β-Ga₂O₃ crystals. In this work, crystal growth of Ga₂O₃ has been carried out by chemical vapor transport (CVT) method in a closed quartz tube using C as transport agent and sapphire wafer as seed. The CVT mass flux has been analyzed by theoretical calculations based on equilibrium thermodynamics and 1D diffusional mass transport. The crystal growth experimental results are in agreement with the theoretical predictions. Influence factors of Ga₂O₃ crystal growth, such as temperature distribution, amount of C as transport agent used, have also been discussed. Structural (XRD) and optical (Raman spectroscopy, photoluminescence spectrum) properties of the CVT-Ga₂O₃ crystal are presented.     

面向长距离通讯1550 nm垂直腔面发射激光器的研究

采用InP基衬底设计并制备了1550 nm垂直腔面发射激光器。采用混合镜面布拉格发射镜,其中顶部采用4.5对硅和二氧化硅的介电布拉格反射镜,同时采用隧道结的方式降低p层载流子吸收。制备出阈值电流在20 mA,室温直流下输出光功率为7 μW,激射波长为1554 nm,激射谱半高宽为3 nm的垂直腔面发射激光器。     

国外对陆攻击导弹的发展情况

国外对陆攻击导弹的发展情况２１世纪的舰载武器将是什么样的？这个问题对于海上主要军事大国来说并不是无意义的空谈。现代军事政治情况正象实际所表明的那样，越来越重视从海上对敌人的纵深领土进行打击，从而使敌人的主要军事、经济设施陷于瘫痪，而人员损失最小。完成...     

VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质

研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较. 利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析. 利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷. Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低. VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象. 对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.